一种六方片状结构Sm2O3 半导体纳米晶的制备方法技术

一种六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶的制备方法，将分析纯的SmCl3·6H2O加入异丙醇中制得溶液A；用NaOH溶液调节溶液A的pH值为7～12形成前驱溶液，向前驱溶液中加入CTAB；将前驱溶液倒入水热釜中，密封水热釜，控制水热温度为120～200℃，压力为2～20MPa，反应6～60小时，反应结束后自然冷却到室温；取出产物用无水乙醇洗涤并离心分离重复多次后干燥得到六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶。由于本发明专利技术制备六方片状结构Sm2O3纳米晶反应在液相中一次完成，不需要后期的晶化热处理，从而避免了Sm2O3纳米晶在热处理过程中可能导致的团聚、晶粒粗化以及气氛反应引入杂质等缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种Sm2O3纳米晶的制备方法，特别涉及一种溶剂热法制备六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶的方法。
技术介绍
Sm2O3是一种淡黄色粉末，易潮解，不溶于水，易溶于无机酸。Sm2O3是新一代的能量转化材料、半导体材料及高性能催化剂材料。纳米Sm2O3还可以用于陶瓷电容器。在磁性材料方面，纳米Sm2O3主要用于制备稀土永磁材料；此外Sm2O3薄膜还可用于电子器体、磁性材料和特种玻璃的滤光器中，具有广阔的发展应有前景。Sm2O3晶体具有三种晶型，属于多晶相转化的氧化物，室温下为单斜晶相，在常温常 压下为淡黄色半导体，其熔点为2269°C，沸点为3507°C。当温度高于850°C时，单斜晶相转变为立方晶相，在2000°C左右转变为六方晶相。随着晶型的转变Sm3+的基态发生了一定的变化，从而导致氧化钐的性能发生了变化。这些特殊的结构在磁学、电学以及光学方面会产生一些新颖的特点，因而也引起了人们极大的研究热情。目前所报道的制备Sm2O3的方法主要为低温自蔓延燃烧法；溶胶-凝胶法和微乳液法;还有固相烧结法。低温自蔓延燃烧法和溶胶-凝胶法是在氧气气氛下高温合成Sm2O3，粉体易团聚并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将分析纯的SmCl3·6H2O加入异丙醇中搅拌制得Sm3+浓度为0.2~1.5mol/L的溶液A；2）将溶液A在45~55℃加热搅拌采用NaOH溶液调节溶液A的pH值为7~12，继续搅拌形成前驱溶液，随后向前驱溶液中加入CTAB，其加入量与产物理论产量的物质的量之比为n=0.5~2.5；再次确定前驱溶液的pH值为7~12；3）将前驱溶液倒入水热釜中，填充度控制在50～60％，然后密封水热釜，将其放入电热鼓风干燥箱中，控制水热温度为120～200℃，压力为2～20MPa，反应6～60小时，反应结束后自然冷却到室温；4）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷立雄，黄剑锋，郝巍，李嘉胤，吴建鹏，曹丽云，费杰，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：