【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅质的半导体固化方法，更具体地说，是一种，其可以在半导体固化过程中能够对半导体的掺质处理进行控制。本专利技术尤其适用于液体冶金硅质的晶体化，其是按以制造光伏电池基材的铸锭或条带的形式。
技术介绍
在一含有一或更多掺质的半导体的有向性固化过程中，掺质浓度会沿着晶体化的方向而改变，其原因为所构成的固体的组成是不同于该液体的(在大多数一般情况下该液体中通常会出现掺质累积)。更详细地说，在该液体为完全混合的情况下，在此铸锭里沿晶体化的方向上的掺质分布是由C等式所统驭，这对于各种类型的掺质而言是利用其分离系数k = Ss/Sy其中Ss为掺质物种在该固体硅质中的溶解度，而&为掺质物种在该液体硅质中(熔化)的溶解度。硼质及磷质两者在固体硅质中具有比起液体硅质为较低的溶解度，这可按如一小于I的分离系数所表示。对于一给定掺质物种，该Scheil-Gulliver等式可依下列形式所表示:Cs = k.CL0.(l_fs)H，其中:Cs:该掺质物种在固体晶体化半导体中的浓度， Clo:该掺质物种在液体半导体中的初始浓度，k:该掺质物种的分离系数，fs:晶体化...
【技术保护点】
在晶体化过程中添增掺质半导体进料的半导体固化方法，其特征在于：包含至少下列步骤：?将含有至少一种掺质的第一半导体材料构成的一熔化半导体进行浸浴，?将所述熔化半导体进行固化，并且另外包含，在所述熔化半导体的固化过程中，在该固化方法的至少一部份过程里，包括将一份或更多份含有掺质的补充性半导体材料添增在所述熔化半导体中进行浸浴，而相对于由所述掺质的分离系数的数值所自然达到的变化性，降低在所述浸浴中所述熔化半导体的项的数值的变化性，从而使得：(ΣnkiCai-ΣmkjCaj)<(ΣnkiCLi-ΣmkjCLj)若Σn...
【技术特征摘要】
2009.01.05 FR 09500161.晶体化过程中添增掺质半导体进料的半导体固化方法，其特征在于:包含至少下列步骤: -将含有至少一种掺质的第一半导体材料构成的一熔化半导体进行浸浴， -将所述熔化半导体进行固化， 并且另外包含，在所述熔化半导体的固化过程中，在该固化方法的至少一部份过程里，包括将一份或更多份含有掺质的补充性半导体材料添增在所述熔化半导体中进行浸浴，而相对于由所述掺质的分离系数的数值所自然达到的变化性，降低在所述浸浴中所述熔化半导体的f 丨项的数值的变化性，从而使得:2.按权利要求1所述的半导体固化方法，其特征在于:所述电子接受掺质i为硼质的原子，并且所述电子给予掺质j为磷质的原子。3.按权利要求2所述的半导体固化方法，其特征在于:所述补充性半导体材料添增，而同时确保维持下列关系:4.按权利要求3所述的半导体固化方法，其特征在于:所述补充性半导体材料按一低于晶体化速度的添增速度所添增，如此可验证:5.以上权利要求1-4任一项所述的半导体固化方法，其特征在于:所述补充性半导体材料按固体形式添增至所述熔化半导体中进行浸浴，并且融化所述补充性半导体材料且混合于所述熔化半导体中。6.以上权利要求1-4任一项所述的半导体固化方法，其特征在于:所述补充性半导体材料是在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯万特˙佛罗伦萨，卡梅尔˙丹尼斯，
申请(专利权)人：法国原子能委员会，
类型：发明
国别省市：
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