本发明公开了一种线性均衡器，包括：由第一、二MOS晶体管组成差分输入对管；第一、二MOS晶体管的漏极都分别依次串联有第一电阻和第一电感，第一电阻和第一电感要求能产生一个高于通道带宽的零点；两端分别和第一、二MOS晶体管的源极相连的第二电...

本发明公开了一种锁相环电路，包括多个电压调整器，电压调整器对电源进行稳压和滤波处理并在输出端输出一工作电源；锁相环电路的工作频率不相同的模块要分别单独配置一个电压调整器，锁相环电路的工作频率相同的模块共用同一个电压调整器。本发明的电压调...

本发明公开了一种高压静电保护结构，包括：第一低压PMOS，形成于硅衬底P型外延上的N型埋层中；一高压硅控整流器，形成在硅衬底的P型外延上，由形成于第一高压P阱中的N+扩散区和P+扩散区，以及形成于第一高压N阱中的N+扩散区和P+扩散区组...

本发明公开一种多晶硅二极管静电保护结构，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括，P-多晶硅衬底中形成有多个不相邻的N+扩散区，P-多晶硅衬底的两侧形成有P+扩散区；所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电...

本发明公开了一种硅通孔，由完全填充于深沟槽或孔中的原位掺杂的P型无定形硅、钛和氮化钛层和钨层组成，钛和氮化钛层位于钨层和P型无定形硅之间并作为钨层的粘附层和阻挡层，P型无定形硅作为缓冲层用于缓解钨层和硅片之间的应力。本发明公开了一种硅通...

本发明公开了一种硅通孔背面导通的制造工艺方法，其是在硅片正面刻蚀出深沟槽并淀积金属阻挡层及无缝填充金属，然后对硅背面采用背面减薄工艺，实施湿法刻蚀去除硅损伤层后再用光刻胶定义出硅通孔干法刻蚀区域，以化学干法刻蚀掉硅通孔区域的硅直至硅正面...

本发明公开了一种深沟槽器件的栅极多晶硅的制备方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有深沟槽和栅氧化层的半导体衬底。步骤二、进行一次以上多晶硅淀积形成第一多晶硅层，该第一多晶硅层的厚度满足使所述深沟槽留有缝隙且不被封口。步骤三、对第一多晶硅层...

本发明公开了一种氮氧化硅薄膜的制造方法，采用立式L?P?C?V?D炉管进行氮氧化硅薄膜生长，将硅片产品放置于立式L?P?C?V?D炉管的制品作业区域，形成氮氧化硅薄膜的氧源为一氧化二氮，在一氧化二氮进入到制品作业区域参与反应形成氮氧化硅...

本发明公开了一种多晶硅沟槽回刻蚀方法，包括：在沟槽刻蚀后进行栅氧氧化生长和多晶硅生长；在多晶硅表面进行覆盖光阻，覆盖光阻的厚度大于沟槽上方多晶硅凹陷量；采用终点信号探测的方式进行光阻干法刻蚀，干法刻蚀采用气体其对多晶硅的选择比大于1；采...

本发明公开了一种含有沟槽栅的深沟槽型超级结的栅沟槽的形成方法，包括步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜；采用光刻工艺定义出深沟槽区域；将深沟槽区域的硬掩膜去除，以硬掩膜为阻挡层进行刻蚀形成多个交替排列的深沟槽；对深沟槽进行半导体材料填充；对半...

本发明公开了一种DDMOS台阶栅氧化层实现的工艺方法，其是在DDMOS器件的N阱和P阱注入之后，光刻胶剥离之前，通过光刻胶刻蚀和氧化层湿法刻蚀工艺，使DDMOS器件的阱注入区域的氧化层去除，而漏端扩展区的氧化层得以保留，最终形成台阶状的...

本发明公开了一种晶体管交流热载流子注入特性的测试结构，包括：一待测PMOS?P1，一待测NMOS?N1，一测试负载N2；P1、N1的栅极相连作为本测试结构的测试引脚a；P1的源极作为本测试结构的测试引脚b；P1的衬底电极作为本测试结构的...

本发明公开了一种多通道智能漏液及断线检测系统，包括有漏液检知器、断线报警电路、单片机和液晶面板集中控制器。本发明采用多个智能传感器构成基于MCU的总线式多通道智能漏水及断线检测系统，对多个单独的感应线通道进行独立的监控，使漏水警情能够被...

本实用新型公开了一种背面微光显微镜用装置，该装置包括：包装体、引脚、芯片固定装置和透光玻璃；所述包装体分为上部、中部、底部，上部和中部之间设有引脚，中部放置芯片，底部放置透光玻璃，中部位置设有芯片固定装置，所述的透光玻璃位于芯片的反面。...

本发明公开了一种流水线模数转换器的数字校正电路，采用逐级运算的方式将运算分配到进行数字码同步的各级第二子电路中，相对于现有冗余位数字校正电路需要在最后一级采用加法器进行较长时间的运算，本发明各级第二子电路中不需要采用加法器，而采用与非门...

本发明公开了一种跨导运算放大器，信号差分输入，差分输出，具有增益自举采用一对PNMOS管和NMOS管的单管结构，每一个单管都设置一辅助放大器。本发明通过采用单管的辅助放大器技术，能通过提高整体放大器的输出阻抗来提高放大器的增益，从而能达...

本发明公开了一种纵向夹断的面结型场效应晶体管结构及制造方法，具有第一导电类型的硅基板上形成第二导电类型的第一阱区，第一阱区的表面形成具有第一导电类型的第二阱区，第二阱区中形成具有第一导电类型的第一有源区，第一阱区外侧的硅基板中形成具有第...

本发明公开了一种瞬态电压抑制器件，该器件是在高掺杂浓度的P型低阻衬底上分别制作重掺杂的P型埋层和N型埋层，N型埋层上方为N型外延，外延层上注入形成重掺杂的P型区，通过接触孔工艺引出形成二极管的阳极；在P型区两侧埋层上方制作隔离结构，并在...

本发明公开了一种单向导电耐压器件，包括：P型硅上部左侧形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入层；P型硅上部右侧形成有二个以上串联的MOS结构；所述MOS结构包括P型硅、N+注入层、栅氧化层和栅极；栅氧化层形成于P型硅上方；N+注入层形...

本发明公开了一种用于半导体芯片的切割道，设置宽、窄两种宽度尺寸的切割道；在曝光单元的外围使用宽尺寸的切割道，并在其中放置各种用于对准和监测用途的标记；其他区域使用窄尺寸的切割道，以区分不同芯片。本发明既能满足切割道放置所有标记的需求，又...