一种单向导电耐压器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种单向导电耐压器件，包括：P型硅上部左侧形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入层；P型硅上部右侧形成有二个以上串联的MOS结构；所述MOS结构包括P型硅、N+注入层、栅氧化层和栅极；栅氧化层形成于P型硅上方；N+注入层形成于P型硅上部，栅氧化层两边旁侧下方；栅极形成于栅氧化层的上方；其中，最左侧的MOS结构的栅氧化层与N阱相邻，每个MOS结构的栅极通过金属导线与其相邻的N+注入层相连。本发明专利技术还公开了一种单向导电耐压器件的制造方法。本发明专利技术还提供了一种单向导电耐压器件的制造方法。本发明专利技术的单向导电耐压器件与传统高压二极管相比在提供相同抗击穿电压的同时能提供更大的正向导通电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单向导电耐压器件，其特征是，包括：P型硅上部左侧形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入层；P型硅上部右侧形成有二个以上串联的MOS结构；所述MOS结构包括P型硅、N+注入层、栅氧化层和栅极；栅氧化层形成于P型硅上方；N+注入层形成于P型硅上部，栅氧化层两边旁侧下方；栅极形成于栅氧化层的上方；其中，最左侧的MOS结构的栅氧化层与N阱相邻，每个MOS结构的栅极通过金属导线与其相邻的N+注入层相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：