能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构制造技术

本发明专利技术公开了一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，包括超结器件的元胞区域、终端，终端设置于元胞区域的外围；在超结器件的元胞区域中，元胞沟槽的顶层覆盖有元胞体注入区，多块元胞N型离子注入区覆盖于元胞体注入区内的部分区域；元胞N型离子注入区的顶层覆盖有元胞源区接触孔，元胞源区接触孔为长条形，元胞源区接触孔沿元胞N型离子注入区的长度方向延伸。在所述元胞源区接触孔的长度方向，元胞源区接触孔全部覆盖元胞N型离子注入区，而只覆盖元胞体注入区的部分区域。本发明专利技术能够大大增加孔与元胞体注入区的面积，从而更稳定地控制元胞体注入区的零电位，降低寄生晶体管的基区电阻，提高寄生晶体管触发开启的条件，有效防止寄生晶体管的触发开启。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件结构，具体涉及一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构。
技术介绍
功率半导体器件是不断发展的功率-电子系统的内在驱动力，尤其是在节约能源、动态控制、噪音减少等方面。功率半导体主要应用于对能源与负载之间的能量进行控制，并且应当拥有精度高、速度快和功耗低的特点。二十世纪八十年代末九十年代初，一种新概念的提出打破了“硅限”，它可以同时得到低通态功耗和高开关速度，这一概念经过演化和完善之后，得到了“超结理论(Super junction Theory)”。应用超结理论的典型产品是1998年德国西门子的英飞凌(Infineon)公司推出的C00LM0STM器件。当时推出的C00LM0STM产品的革命性突破在于在其工作范围内(耐压600 800V)，相对于传统技术，在相同的芯片面积上，其导通电阻(主要是漂移层电阻)降低了 80 90%，打破了硅限，并且具有闻开关速度。如图1所示为超结结构应用于N型纵向功率MOS器件，即N型C00LM0STM结构。该结构导通过程中只有多数载流子——电子，而没有少数载流子的参与，因此，其开关损耗与传统的功率MOSFET相同，而且其电压支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：包括超结器件的元胞区域、终端，终端设置于元胞区域的外围；在超结器件的元胞区域中，元胞沟槽的顶层覆盖有元胞体注入区，多块元胞N型离子注入区覆盖于元胞体注入区内的部分区域；元胞N型离子注入区的顶层覆盖有元胞源区接触孔，元胞源区接触孔为长条形，元胞源区接触孔沿元胞N型离子注入区的长度方向延伸。

【技术特征摘要】
1.一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于包括超结器件的元胞区域、终端，终端设置于元胞区域的外围；在超结器件的元胞区域中，元胞沟槽的顶层覆盖有元胞体注入区，多块元胞N型离子注入区覆盖于元胞体注入区内的部分区域；元胞N型离子注入区的顶层覆盖有元胞源区接触孔，元胞源区接触孔为长条形，元胞源区接触孔沿元胞N型离子注入区的长度方向延伸。2.根据权利要求1所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于在所述元胞源区接触孔的长度方向，元胞源区接触孔全部覆盖元胞N型离子注入区，且覆盖元胞体注入区的部分区域。3.根据权利要求1或2所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于在所述元胞源区接触孔的宽度方向，元胞源区接触孔覆盖两块元胞N型离子注入区之间的元胞体...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓明，刘梅，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：