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本发明公开了一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，包括超结器件的元胞区域、终端，终端设置于元胞区域的外围；在超结器件的元胞区域中，元胞沟槽的顶层覆盖有元胞体注入区，多块元胞N型离子注入区覆盖于元胞体注入区内的部分区域；元胞N型离子注入区的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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