一种探测纳米结构表面俘获态密度的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种探测纳米结构表面俘获态密度的方法，通过测量硅基纳米线光敏电阻的光导来探测表面俘获态的密度，其光导增益来自于表面俘获态所捕获的光致载流子以及载流子的捕获所带来的表面栅极效应。通过金催化气液固三相工艺，混合氢气平衡的硅烷和硼烷，合成硅基纳米线，然后给单根的纳米线做接触点，再由光刻和金属化工艺制作的多个微电极，放置直流偏置的纳米线在单色光束的照射下，通过斩断器将单色光束调制成为周期性开通关断的状态，调制产生的交流光导由锁定放大器拾取，并使用四探针法去除接触电阻。本发明专利技术所述方法和装置能高精度地描述超大规模纳米/量子器件的表面俘获态能量密度，为制造纳米结构的光检测器器件表面提供有益探索。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种探测纳米结构表面俘获态密度的方法，其特征在于，包括：提供掺杂的纳米结构；通过周期性脉冲单色光束照射所述纳米结构；通过锁定放大器拾取所述纳米结构的光致电导；通过所述光致电导计算光致载流子的浓度变化量；通过所述浓度变化量和单位载流子的浓度比较得到所述纳米结构的表面俘获态的密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：但亚平，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31