一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用。该探测器包括基底层、SiO2薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；SiO2薄膜层平行附着在所述基底层上；光敏层和叉指电极分别平行设置在SiO2薄膜层上，光敏层和叉指电极相接触连接，光敏层设置在叉指电极上层或者下层；第一引线和第二引线分别与叉指电极的两个电极相连接；光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。本发明专利技术的紫外光探测器采用平行于基底的、大面积有序排列的NiO纳米线，具有灵敏度高，测量范围广，可实现连续波段或各波段的紫外光探测，制备简单，成本低廉，易于工业化生产，在实际应用上具有广阔前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种NiO纳米线紫外光探测器，其特征在于：该探测器包括基底层、SiO2薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；所述SiO2薄膜层平行附着在所述基底层上；所述光敏层和所述叉指电极分别平行设置在所述SiO2薄膜层上，所述光敏层和所述叉指电极相接触连接，所述光敏层设置在所述叉指电极上层或者下层；所述第一引线和所述第二引线分别与所述叉指电极的两个电极相连接；所述光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：相文峰，贺卓，董佳丽，岳义，赵昆，
申请(专利权)人：中国石油大学北京，
类型：发明
国别省市：北京;11