本实用新型专利技术涉及功率半导体技术领域，公开了一种适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置，包括：装置本体、控制开关、抗干扰电路及LCC-18封装功率器件插座；抗干扰电路设置在装置本体中；LCC-18封装功率器件插座设置在装置本体上，LCC-18封装功率器件插座包括与LCC-18封装功率器件的金属触点电极引出端位置相对应的电极触点；抗干扰电路的接线端与电极触点连接，待测的LCC-18封装功率器件的金属触点电极引出端与电极触点连接；抗干扰电路的接线端从装置本体引出与雪崩耐量检测设备连接；控制开关设置在信号通路上。本实用新型专利技术具有操作简单、测试效率高和误差小的特点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率半导体
，主要适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置。
技术介绍
功率半导体器件以其高频、低驱动功率、易并联等优点被广泛地应用在开关领域。当功率半导体器件被应用在开关场合并工作时，驱动负载电感工作。当功率半导体器件关断时，在负载电感中存储的能量会释放到功率半导体器件上，对功率半导体器件造成冲击，一般会导致功率半导体器件因雪崩击穿而被烧毁的现象的发生。为了研宄分析功率器件在负载电感能量下的耐雪崩可靠性能力，国际公认采用无嵌位电感开关(UnclampedInductive Switching，UIS)仪对功率器件的该项可靠性能力进行测试评估，通常也被称为雪崩耐量实验，其对应承受的能量为雪崩能量。在功率半导体器件的雪崩耐量实验中，负载电感能量由无嵌位电感开关(ns)仪释放到待测器件中。在待测器件上瞬间发生的雪崩电压、电流波形返回测试收集并记录。而在实际测试中，待测的功率器件的规格尺寸和封装类型往往是不同的。而不同类型尺寸的器件需要通过专用的测试夹具来进行固定，然后再按照测试要求与信号发生主系统进行有效的电气连接。不同封装规格的功率器件的电极定义及规格都是不同的，具有自己特殊的要求。LCC-18封装形式的功率器件是一种常见的功率器件，其电极是由分布于器件封装周边的金属触点引出的，其雪崩耐量实验的原理图如图1所示。在对这种类型的功率器件进行雪崩耐量测试时，需把器件的金属触点电极引出端与信号系统有效连接。一般做法是将电导线一端与器件的金属触点电极引出端焊接，将电导线另一端与信号主机的接线口相连，以满足测试线路的电气连接要求。但是，通过上述方法分析待测的功率半导体器件的雪崩耐量特性，每次参数测试时，都需要操作人员手动连线，这样不仅操作麻烦、测试效率低、容易出错，而且电导线的鳄鱼夹与器件的管腿引出端的接触部分、外壳螺丝接口的电极金属部分都是暴露在外的，当进行实验时，实验环境周边的电磁信号容易对测试过程中的脉冲信号产生干扰，影响脉冲结果数据的收集，最终导致测试结果不准确，往往表现为在波形上出现图像扭曲、振荡明显等情况。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置，它具有操作简单、测试效率高和误差小的特点。为解决上述技术问题，本技术提供了一种适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置，包括:装置本体、控制开关、抗干扰电路及LCC-18封装功率器件插座；所述抗干扰电路设置在所述装置本体中；所述LCC-18封装功率器件插座固定设置在所述装置本体上，且外露于所述装置本体，所述LCC-18封装功率器件插座包括与LCC-18封装功率器件的金属触点电极引出端位置相对应的电极触点；所述抗干扰电路的第一接线端与所述电极触点连接，待测的LCC-18封装功率器件的金属触点电极引出端通过所述电极触点与所述抗干扰电路的第一接线端联通；所述抗干扰电路的第二接线端从所述装置本体引出与雪崩耐量检测设备连接；所述控制开关设置在由所述待测的LCC-18封装功率器件、所述抗干扰电路、所述LCC-18封装功率器件插座及所述雪崩耐量检测设备形成的信号通路上；所述控制开关固定设置在所述装置本体上，且外露于所述装置本体。进一步地，还包括:第一 BNC接头、第二 BNC接头及第三BNC接头；所述第一 BNC接头、所述第二 BNC接头和所述第三BNC接头固定设置在所述装置本体上，且外露于所述装置本体，并与所述抗干扰电路的第二接线端连接；所述抗干扰电路的第二接线端通过所述第一 BNC接头、所述第二 BNC接头和所述第三BNC接头与所述雪崩耐量检测设备连接。进一步地，所述抗干扰电路包括:PCB板、第一导线、第二导线、第三导线、第四导线、第五导线及第六导线；所述LCC-18封装功率器件插座还包括与所述电极触点相连的开尔文连接电极接触端子；所述第一导线、所述第二导线和所述第三导线相互平行地设置在所述PCB板上，且所述第一导线、所述第二导线和所述第三导线以非曲线的形式设置；所述第一导线和所述第四导线为上下两层平行布线结构，所述第二导线和所述第五导线为上下两层平行布线结构，所述第三导线和所述第六导线为上下两层平行布线结构；所述第一导线和所述第四导线的一端与所述第一 BNC接头连接；所述第二导线和所述第五导线的一端与所述第二BNC接头连接；所述第三导线和所述第六导线的一端与所述第三BNC接头连接；所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线、所述第四导线、所述第五导线和所述第六导线的另一端各自分别与所述LCC-18封装功率器件插座的开尔文连接电极接触端子连接。本技术的有益效果在于:本技术提供的适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置，将控制开关和抗干扰电路设置在装置本体中，将LCC-18封装功率器件插座设置在装置本体上。抗干扰电路的第一接线端通过LCC-18封装功率器件插座与待测的LCC-18封装功率器件连接，抗干扰电路的第二接线端从装置本体引出与雪崩耐量检测设备连接。当需要对器件进行雪崩耐量实验时，只需将待测的LCC-18封装功率器件的金属触点电极引出端与LCC-18封装功率器件插座的电极触点连接，再将雪崩耐量检测设备与抗干扰电路的接线端连接即可，操作简单且测试效率高。通过本技术对LCC-18封装功率器件进行雪崩耐量实验，并不是每次都需要进行布线，因而降低了因人为失误而造成的测量误差的产生，提高了测试精度。【附图说明】图1为LCC-18封装功率器件的雪崩耐量实验的原理图；图2为本技术实施例提供的适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置的结构示意图；图3为本技术实施例提供的适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置的外部连接示意图。其中，1-装置本体，2-第一 BNC接头，3-第二 BNC接头，4-第三BNC接头，5-LCC-18封装功率器件插座，6-控制开关，7-PCB板，8-雪崩耐量检测设备。【具体实施方式】为进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置的【具体实施方式】及工作原理进行详细说明。参见图2和图3，本技术实施例提供的适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置，包括:装置本体1、控制开关6、抗干扰电路及LCC-18封装功率器件插座5 ;抗干扰电路设置在装置本体I中；LCC-18封装功率器件插座5固定设置在装置本体I上，且外露于装置本体1，LCC-18封装功率器件插座5包括与LCC-18封装功率器件的金属触点电极引出端位置相对应的电极触点；抗干扰电路的第一接线端与LCC-18封装功率器件插座5的电极触点连接，待测的LCC-18封装功率器件的金属触点电极引出端通过电极触点与抗干扰电路的第一接线端联通；抗干扰电路的第二接线端从装置本体I引出与雪崩耐量检测设备8连接；控制开关6设置在由待测的LCC-18封装功率器件、抗干扰电路、LCC-18封装功率器件插座5及雪崩耐量检测设备8形成的信号通路上；控制开关6固定设置在装置本体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种适用于LCC‑18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置，其特征在于，包括：装置本体、控制开关、抗干扰电路及LCC‑18封装功率器件插座；所述抗干扰电路设置在所述装置本体中；所述LCC‑18封装功率器件插座固定设置在所述装置本体上，且外露于所述装置本体，所述LCC‑18封装功率器件插座包括与LCC‑18封装功率器件的金属触点电极引出端位置相对应的电极触点；所述抗干扰电路的第一接线端与所述电极触点连接，待测的LCC‑18封装功率器件的金属触点电极引出端通过所述电极触点与所述抗干扰电路的第一接线端联通；所述抗干扰电路的第二接线端从所述装置本体引出与雪崩耐量检测设备连接；所述控制开关设置在由所述待测的LCC‑18封装功率器件、所述抗干扰电路、所述LCC‑18封装功率器件插座及所述雪崩耐量检测设备形成的信号通路上；所述控制开关固定设置在所述装置本体上，且外露于所述装置本体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆江，赵发展，周宏宇，刘刚，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：新型
国别省市：北京;11
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