温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种单向导电耐压器件，包括：P型硅上部左侧形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入层；P型硅上部右侧形成有二个以上串联的MOS结构；所述MOS结构包括P型硅、N+注入层、栅氧化层和栅极；栅氧化层形成于P型硅上方；N+注入层形成于...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。