【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体主体；功率晶体管，其包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极；以及高电压器件，其设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F希尔勒，A毛德，U瓦尔，J魏尔斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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