与包括 JFET 部分的二极管器件有关的方法和设备技术

本发明专利技术涉及与包括JFET部分的二极管器件有关的方法和设备。在一个一般的方面中，设备可以包括阳极端子和阴极端子。设备可以包括具有沟道的结型场效应晶体管（JFET）部分，该沟道被设置在半导体衬底内并且限定位于阳极端子与阴极端子之间的电通路的第一部分。设备也可以包括二极管部分，该二极管部分形成在半导体衬底内并且限定位于阳极端子与阴极端子之间的电通路的第二部分。二极管部分可以被串联地耦接到JFET器件的沟道。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种设备，包括：阳极端子；阴极端子；结型场效应晶体管（JFET）部分，具有沟道，所述沟道被设置在半导体衬底内并且限定位于所述阳极端子与所述阴极端子之间的电通路的第一部分；以及二极管部分，形成在所述半导体衬底内并且限定位于所述阳极端子与所述阴极端子之间的所述电通路的第二部分，所述二极管部分串联地耦接到所述JFET器件的所述沟道。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金成龙，金钟集，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：