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本发明涉及具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体和功率晶体管，该功率晶体管包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置进...
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