一种用于制备半导体功率器件的方法技术

一种半导体功率器件包括一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层。一个或多个器件形成在轻掺杂层中。每个器件都包括一个本体区、一个源极区、以及一个形成在轻掺杂区中相应的沟槽中的一个或多个栅极电极。每个沟槽的深度都在第一维度上，宽度在第二维度上，长度在第三维度上。本体区的导电类型与轻掺杂层和重掺杂层相反。源极区形成在上表面附近。一个或多个深接触区形成在沿一个或多个沟槽附近的第三维度的一个或多个位置处。接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，并与源极区电接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及半导体功率场效应晶体管器件，尤其是用于制备改良型纳米沟槽 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)器件的新型结构及方法。
技术介绍
如今，沟槽型MOSFET器件广泛应用于电子器件中的电源开关。沟槽型MOSFET器 件与传统的MOSFET器件的不同之处在于，前者的栅极结构形成在沟槽中，使MOSFET器件的 面积最小，从而提高了 MOSFET器件的密度，降低了导通电阻。然而，通过减薄栅极氧化层提 高电流驱动，使栅极氧化层更容易受穿通现象的影响。 传统的配置与制备高压半导体功率器件的技术，在进一步提高性能方面要做不同 的取舍，因此仍然面临许多困难与限制。在沟槽型MOSFET器件等垂直半导体功率器件中， 漏源电阻（即导通状态电阻，通常用R dsA(即RdsX有源区）作为性能表征）以及功率器件 可承受的击穿电压之间存在一种取舍关系。 为了解决上述性能取舍所产生的困难及局限，必须研发新的器件结构。众所周知， 沟槽的底部必须有厚底部氧化物，以避免击穿过程中损坏栅极氧化物。而且，具有厚底部氧 化物可以降低栅漏电容。依据这种方法，在沟槽底部的裸露硅上生成一个二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：在第一导电类型的重掺杂层上方，第一导电类型的轻掺杂层中，制备一个或多个沟槽；在一个或多个沟槽中，制备一个或多个电绝缘栅极电极，其中一个或多个沟槽中的每个沟槽的深度都在第一维度上延伸，宽度在第二维度上延伸，长度在第三维度上延伸，其中第一维度垂直于重掺杂层的平面，其中第二和第三维度平行于重掺杂层的平面；在轻掺杂层上表面附近的一个或多个沟槽周围，制备一个掺杂本体区，其中本体区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；在上表面周围，以及一个或多个沟槽中附近，制备一个源极区，其中源极区为重掺杂第一导电类型；在一个或多个沟槽附近的一个或多个位置上，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：哈姆扎·耶尔马兹，伍时谦，丹尼尔·卡拉夫特，马督儿·博德，安荷·叭剌，潘继，李亦衡，金钟五，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US