本发明公开了一种栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：在硅衬底上依次形成栅介质层和第一层多晶硅；进行第一次离子注入形成多晶硅电阻的掺杂；在第一层多晶硅上形成第二层氧化；对第二层氧化硅进行刻蚀仅保留多晶硅电阻形成区域上的第二层氧化...

本发明公开了一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中注入硼离子；在栅极多晶硅表面注入铟离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在PMOS器件的栅极多晶硅硼注入之后，再进行铟注入，通过铟注入使栅极多晶...

本发明公开了一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔，包括；一腔体，所述腔体为圆柱形腔体；一上电极，固定安装在所述腔体的上顶面；一下电极，固定安装在所述腔体的下底面；所述腔体中设置一可变腔体，用于调节所述上下电极之间的距离与平行度。本发明能既可...

本发明公开了一种找到连接孔顶部开路的方法，包括：步骤1、芯片开封，去除绝缘层，暴露导电互连线。步骤2、粘附芯片于基板。步骤3、将芯片研磨至关注的连接孔层次。步骤4、电压衬度分析，找出异常连接孔。步骤5、找出导致连接孔顶部开路的真正机理。...

本发明公开了一种应用于低压炉管装置的压力检测系统包括控制单元、机械式压力开关和电容式压力计；机械式压力开关包括一底座，底座具有一个压力输入口并固定有一波纹管，压力输入口与顶部密封底部开放的波纹管相通；波纹管顶部固定有支撑杆，支撑杆上套设...

本发明公开了一种用于静电保护的高压NLDMOS结构，包括一N型LDMOS，形成于一硅衬底上方的N型埋层内；N型LDMOS排列成多指状结构；位于两个漏区之间的源区为共源区；所述漏区的有源区内由N型有源区与P型有源区沿长度方向相间排布；所述...

本发明公开了一种自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法，包括步骤：1）刻蚀沟槽，生长栅氧，淀积多晶硅并回刻；2）生长衬垫氧化层，进行体区、源区注入及热退火；3）淀积氮化硅和LPTEOS；4）回刻除去TEOS和氮化硅；5）淀积层间介质...

本发明公开了一种P型LDMOS器件，包括：一SOI衬底；位于沟道区域的SOI衬底的顶层硅和埋氧化层被去除，在沟道区域中形成有硅外延层，硅外延层中掺入有N型杂质并组成器件的沟道区，沟道区的底部和所述底层硅相接触；顶层硅中形成有器件的P型漂...

本发明公开了一种隔离型N型LDMOS器件，包括：SOI衬底，包括底层硅、埋氧化层和顶层硅；沟道区形成于顶层硅中，沟道区的底部和底层硅通过埋氧化层隔离；漂移区形成于顶层硅和埋氧化层去除后形成的硅外延层中，漂移区的底部和底层硅相接触。本发明...

本发明公开了一种升降装置，其主要包括一控制单元，用于发送控制信号和接收反馈信号；一升降机构，包括电磁阀和气缸，用于接收所述控制单元发出的控制信号，完成升降动作；在所述气缸的侧面两端位置分别安装有限位传感器，当所述气缸中的活塞运动到限定位...

本发明公开了一种用于功率器件厚金属刻蚀的方法，包括步骤：1）在介质层上淀积厚金属层；2）在厚金属层上，进行光刻胶涂布、曝光、显影；3）湿法刻蚀厚金属层；4）干法刻蚀厚金属层。本发明能有效改善厚金属的刻蚀残留问题，以及湿法刻蚀中出现的漂胶...

本发明公开了一种防止晶圆翘曲变形的方法，包括以下步骤：步骤一，在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶；步骤二，对光刻胶进行曝光、显影，暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层；步骤三，进行离子注入，离子穿过划片槽区域上方的氧化层，注入到硅片；步骤四，去...

本发明公开了一种提高物理溅射成膜质量的方法，包括：步骤1、将晶片送入除水工艺腔去除吸附水及易挥发物处理；步骤2、将晶片送入搬运腔等待，其中等待时间范围为5-40秒，搬运腔内的温度为0-50摄氏度，搬运腔中的压力大于2.2托。步骤3、等待...

本发明公开了一种低压差分信号传输接收器，包括：一接收器和一并联所述接收器的100Ω电阻，其中，所述接收器包括三级顺序相连的比较电路；第一级比较电路，能实现1.125V～1.375V的共模电压输入范围和交叉耦合的信号整形，具有两输入端，两...

本发明公开了一种超级结功率器件，其N柱与P柱交替排列，另外，包括位于N柱上方的多晶硅栅电极和源极的形成，P阱的形成及包覆所述多晶硅栅电极的隔离介质层，贯穿P柱中的接触孔及位于顶端的金属填充物，其中，所述接触孔中填充有所述金属填充物，所述...

本发明公开了一种P型超结横向双扩散MOSFET器件，在N型衬底重掺杂区上具有N型外延漂移区；在N型外延漂移区中形成有元胞区和终端区；P型半绝缘柱区在元胞区和终端区中均具有多个P型半绝缘柱区；在所述P型半绝缘柱区底部和顶部分别有浓度高于P...

本发明公开了一种垂直金属/绝缘层/金属MIM电容，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，该凹槽停止在某一下层金属之上；所述两个凹槽之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；在该电容的绝缘层两侧分别形成的一金属层，该金属层构成所述电容的两个金...

本发明公开了一种连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法，包括步骤：采用光刻刻蚀工艺在硅片上形成深孔或槽；在硅片表面均匀涂抹一第一层光刻胶，该第一层光刻胶为正性光刻胶；对整个硅片表面进行全面曝光；进行光刻显影将曝光后的第一层光刻胶去除，深...

本发明公开了一种光学临近效应修正方法，流程为：1）制作两块测试光刻版，第一块放置前层形貌图形；第二块放置后层OPC测试图形；2）对第二块光刻版涂胶曝光显影，收集光刻工艺关键尺寸的数值，建立OPC模型；3）对第一块光刻版涂胶曝光显影，产生...

本发明公开了一种垂直MIM电容，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，其中，一个凹槽的一侧壁与另一凹槽的一侧壁之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；两层金属层分别沿所述电容的绝缘层两侧端面自上而下经沟槽的底部和沟槽的另一侧壁一直延伸到所...