【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种。
技术介绍
目前,当半导体工艺中出现连续需要光刻做两道道深度不同的孔或槽的时候,如果没有特殊要求,一般会选择先做浅孔或槽、后做深孔或槽,这样既可以简化工艺条件,又可以有效保障工艺的稳定性。但是当工艺要求先做深孔或槽、后做浅孔或槽时,其中特别是深孔或槽做完后做浅孔或槽时,因为浅孔或槽的光刻条件不需要较厚的光刻胶,这样就会容易在原来深孔或槽处造成光刻胶涂抹不均,甚至没有涂满深孔或槽的现象,最终造成浅孔或槽刻蚀后深孔或槽表面的缺陷,以至于该缺陷无法满足该工艺条件,对整个半导体器件也将产生不可预料的后果。如图1A所示,是采用现有工艺方法形成两道深度不同的孔或槽后深孔或槽的表面照片;图1B是图1A深孔或槽的表面处即虚线框101处的放大照片;可以看出,在深孔或槽的表面位置附近,深孔或槽的周侧的硅未受到保护而被刻蚀掉,形成了一种阶梯状的结构缺陷。为了克服上述缺陷,美国专利US5135891公开了一种用光刻胶填充深沟槽的方法,现有第二种采用光刻胶填充深沟槽后,能够使深沟槽得到光刻胶的完全保护,如图2A至图2B ...
【技术保护点】
一种连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法,用于在硅片上形成深孔或槽以及浅孔或槽,其中深孔或槽的深度大于浅孔或槽的深度,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、采用光刻刻蚀工艺在所述硅片上形成所述深孔或槽;步骤二、在形成有所述深孔或槽的所述硅片表面均匀涂抹一第一层光刻胶,该第一层光刻胶为正性光刻胶;所述第一层光刻胶的厚度满足能将所述深孔或槽完全填充以及在所述硅片表面形成一层厚度均匀的膜层;步骤三、对整个所述硅片表面进行全面曝光,所述全面曝光的曝光剂量满足使所述深孔或槽外部的所述硅片表面的所述第一层光刻胶全部曝光、以及使所述深孔或槽区域的所述第一层光刻胶的被曝光部分的底部和所述深孔 ...
【技术特征摘要】
1.一种连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法,用于在硅片上形成深孔或槽以及浅孔或槽,其中深孔或槽的深度大于浅孔或槽的深度,其特征在于,包括如下步骤: 步骤一、采用光刻刻蚀工艺在所述硅片上形成所述深孔或槽; 步骤二、在形成有所述深孔或槽的所述硅片表面均匀涂抹一第一层光刻胶,该第一层光刻胶为正性光刻胶;所述第一层光刻胶的厚度满足能将所述深孔或槽完全填充以及在所述娃片表面形成一层厚度均勻的膜层; 步骤三、对整个所述硅片表面进行全面曝光,所述全面曝光的曝光剂量满足使所述深孔或槽外部的所述硅片表面的所述第一层光刻胶全部曝光、以及使所述深孔或槽区域的所述第一层光刻胶的被曝光部分的底部和所述深孔或槽的顶部相平或低于所述深孔或槽的顶部; 步骤四、对全面曝光后的所述硅片进行光刻显影,显影后所述深孔或槽外部的所述硅片表面的所述第一层光刻胶全部被去除、以及所述深孔或槽区域的所述第一层光刻胶的被曝光部分也被去除,所述深孔或槽底...
【专利技术属性】
技术研发人员:李伟峰,郭晓波,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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