一种极紫外线曝光用掩膜的修正方法，确定在从所述吸收膜露出的所述保护膜的露出区域中的Mo/Si多层膜的缺陷位置，对于在俯视所述极紫外线曝光用掩膜时覆盖缺陷位置的范围，照射直径被缩小到极紫外线曝光光线的波长以下的光束，从而在极紫外线曝光用掩膜的上表面形成多个最大宽度在波长以下的孔，其中，极紫外线曝光用掩膜具有：Mo/Si多层膜，其包括层叠在基板上的钼层及硅层；保护膜，其形成在所述Mo/Si多层膜上；吸收膜，其形成在所述保护膜上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种极紫外线曝光用掩膜的修正方法，确定在从所述吸收膜露出的所述保护膜的露出区域中的Mo/Si多层膜的缺陷位置，对于在俯视所述极紫外线曝光用掩膜时覆盖缺陷位置的范围，照射直径被缩小到极紫外线曝光光线的波长以下的光束，从而在极紫外线曝光用掩膜的上表面形成多个最大宽度在波长以下的孔，其中，极紫外线曝光用掩膜具有：Mo/Si多层膜，其包括层叠在基板上的钼层及硅层；保护膜，其形成在所述Mo/Si多层膜上；吸收膜，其形成在所述保护膜上。【专利说明】极紫外线曝光用掩膜的修正方法及极紫外线曝光用掩膜
本专利技术涉及一种EUV (Extreme Ultra Violet:极紫外线)曝光用掩膜的修正方法及EUV曝光用掩膜。更详细来说，涉及一种在EUV曝光用掩膜的多层膜产生的缺陷的修正方法及EUV曝光用掩膜。本申请基于2011年03月31日在日本申请的日本特愿2011-080112号主张优先权，将其内容援用于此。
技术介绍
为了追求用于形成半导体元件的曝光图案的析像极限，以曝光形成更微细的图案，提出有电子束描画装置(EB)的直写、单元投影(cell projection)、软X射线缩小曝光(Extreme Ultra Violet Lithography (极紫外光刻):EUVL)之类的新转印方法。在其中，EUVL为利用反射光学系统对波长约13纳米(nm)的软X射线进行缩小曝光的光刻技术，被看作是利用紫外线的曝光的短波长化的极限，因此，受到关注。EUVL所使用的掩膜是包括在石英基板上交替形成钥及硅层而成的Mo/Si多层膜、TaN和TiN等的吸收体、在Mo/Si多层膜与吸收体之间由二氧化硅(Si02)和铬(Cr)等形成的缓冲层，并将吸收体刻画为图案的反射掩膜。就Mo/Si多层膜而言，考虑照射光的反射效果和基于热负荷的应力的平衡，来选择膜厚和成膜条件。在EUVL掩膜中，在基板表面存在凹凸形状的缺陷的情况下，就现有的光掩模而言，即使是能够忽视的等级的缺陷，也会给光程差带来很大的影响，有可能成为致命的缺陷。作为这种缺陷，除了吸收体的图案缺陷以外，还列举有Mo/Si多层膜的缺陷、基板表面的缺陷等。特别是，Mo/Si多层膜的缺陷包括:在多层膜表面的附近混入异物等，使EUV反射光的强度下降的振幅缺陷；在基板上或Mo/Si多层膜的成膜初期混入异物等，伴随多层膜的内部结构变化，多层膜表面的凹凸形状进行传播而产生的相位缺陷。这些振幅缺陷、相位缺陷为导致晶片转印的良品率下降的原因，所以需要在形成吸收体、缓冲层之前进行缺陷修正来去除这些缺陷。就这种缺陷修正，在专利文献I中记载有如下的内容:通过对在多层膜中存在的异物局部地照射电子束等，在照射部分形成硅化物，从而消除因体积收缩而引起的高度差。另外，在专利文献2中记载有如下的内容:针对在玻璃基板上存在的异物，聚集具有不被玻璃基板吸收的波长的激光，并从玻璃基板的背面照射至异物，通过加热来在Mo/Si多层膜界面形成硅化物，以缓和在Mo/Si多层膜上产生的高度差。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2006-059835号公报专利文献2:日本特开2006-060059号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在EUVL中，由于能够利用的光受到限制，所以存在反射效率下降的问题。因此，要求提高多层膜表面的反射率。就此而言，由于在多层膜的层之间或在多层膜的下方存在的颗粒、层叠的各层的膜厚的变化、材料的光学特性的偏差，产生多层膜结构的缺陷，或者使层叠膜厚不均匀，所以使得照射光的反射率下降。EUV曝光的照射光的反射受到上述因素的影响很大，有时反射率的变化在转印的晶片上显现成微弱的曝光图像。在专利文献I及2记载的技术中，都难以对这种局部进行修正。本专利技术是鉴于上述情况而提出的，本专利技术的目的在于，提供一种能够使极紫外线曝光的照射光的反射率局部提高的极紫外线曝光用掩膜的修正方法。本专利技术的另一个目的在于，提供一种抑制在描画的晶片上因缺陷而产生曝光图像及抑制产生曝光图像的程度的极紫外线曝光用掩膜。用于解决问题的手段本专利技术的第一技术方案为一种极紫外线曝光用掩膜的修正方法，其中，所述极紫外线曝光用掩膜具有:Mo/Si多层膜，其包括层叠在基板上的钥层及硅层；保护膜，其形成在所述Mo/Si多层膜上；吸收膜，其形成在所述保护膜上，确定在从所述吸收膜露出的所述保护膜的露出区域中的所述Mo/Si多层膜的缺陷位置，对于在俯视所述极紫外线曝光用掩膜时覆盖所述缺陷位置的范围，照射直径被缩小到极紫外线曝光光线的波长以下的光束，从而在所述极紫外线曝光用掩膜的上表面形成最大宽度在所述波长以下的多个孔。在俯视所述极紫外线曝光用掩膜的情况下，可以以孔间间隔小于所述波长的两倍的规定间隔排列成栅格状的方式形成所述孔。可以以使所述Mo/Si多层膜的所述硅层露出在所述孔的底面的方式形成所述孔。可以一并确定在所述保护膜的露出区域中的所述Mo/Si多层膜的缺陷位置和所述缺陷的形状。可以根据确定出的所述缺陷位置及所述缺陷的形状，来决定覆盖所述缺陷位置的范围、所述孔的俯视时的形状、最大宽度及间隔。本专利技术的第二技术方案为一种极紫外线曝光用掩膜，具有:Mo/Si多层膜，其包括层叠在基板上的钥层及硅层；保护膜，其形成在所述Mo/Si多层膜上；吸收膜，其形成在所述保护膜上，在从所述吸收膜露出的所述保护膜的露出区域具有反射率增加部，所述反射率增加部形成有最大宽度在极紫外线曝光光线的波长以下的多个孔。在所述反射率增加部，多个所述孔可以以所述孔的间隔小于所述波长的两倍的规定间隔排列成栅格状。专利技术的效果根据本专利技术的技术方案的极紫外线曝光用掩膜的修正方法，能够局部地改善因Mo/Si多层膜的缺陷而产生的极紫外线曝光的照射光的反射率的局部下降，并能够适当地进行缺陷修正。另外，根据本专利技术的技术方案的极紫外线曝光用掩膜，通过具有反射率增加部，能够局部提高缺陷位置的反射率，从而能够抑制在描画的晶片上因Mo/Si多层膜的缺陷而产生曝光图像及抑制曝光图像的程度。【专利附图】【附图说明】图1是示意性地表示具有缺陷的极紫外线曝光用掩膜的一个例子的剖视图。图2是示意性地表示通过上述极紫外线曝光用掩膜的曝光来进行转印的晶片的形状的剖视图。图3是表示缺损区域与形成反射率增加部的区域之间的关系的图。图4是表示反射率增加部的孔的配置例的图，是表示利用修正之后的上述极紫外线曝光用掩膜产生的反射图像的图。图5是示意性地表示形成有反射率增加部的本专利技术的一个实施方式的极紫外线曝光用掩膜的剖视图。图6是示意性地表示通过上述极紫外线曝光用掩膜的曝光来进行转印的晶片的形状的剖视图。【具体实施方式】针对本专利技术的一个实施方式，参照图1?图6进行说明。图1是表示具有缺陷的极紫外线曝光用掩膜的一个例子的示意图。该极紫外线曝光用掩膜I具有:Mo/Si多层膜20，其形成在由例如石英等构成的透明基板10上；保护膜30，其形成在Mo/Si多层膜20的上表面；吸收膜40，其形成在保护膜30上。将钥及硅的单层膜作为一对，例如以7纳米(nm)左右的膜厚层叠多对钥及硅的单层膜，由此形成Mo/Si多层膜20。由于图1为示意图，所以示出了五对钥层21和硅层22，但实际上，层叠例如40?50对左右的更多对的钥层和娃层。保护膜30由例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：马修·约瑟夫·拉曼提亚，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：
国别省市：
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