一种氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法。根据本发明专利技术氧化物薄膜的制备方法包括：涂布前烘成膜步骤：将含有化学活性组分的有机溶液进行涂布和前烘形成薄膜，其中，化学活性组分中包括重氮萘醌感光树脂；掩膜曝光步骤：在薄膜上进行掩膜，未掩膜的薄膜在曝光后用碱性溶液除去；氧化物薄膜形成步骤：将掩膜部分经高能紫外线照射和臭氧处理后，经烧结固化形成氧化物薄膜。根据本发明专利技术制备方法得到的氧化物薄膜。根据本发明专利技术薄膜晶体管的制备方法包括根据本发明专利技术的氧化物薄膜的制备步骤。本发明专利技术的薄膜晶体管包括根据本发明专利技术制备方法得到的氧化物薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管领域，尤其涉及一种氧化物薄膜及其制备方法，薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
目前，一般采用溶胶-凝胶法制备薄膜晶体管中的氧化物薄膜，即用含化学活性组分的化合物做前驱体，在液相下将原料混合均匀，经过干燥、烧结固化制备出分子甚至纳米结构的材料薄膜，最后再经过用光刻胶成像和刻蚀后剥离光刻胶形成所需的电极。因此，现有技术的工艺繁琐，生产成本高，因此希望提供一种工艺简单，生产成本低的氧化物薄膜的制备方法。
技术实现思路
本专利技术提供了一种氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法，解决了现有技术中在制备薄膜晶体管中的氧化物薄膜时工艺繁杂的问题。根据本专利技术的一方面，提供了一种氧化物薄膜的制备方法，包括：涂布前烘成膜步骤：将含有化学活性组分的有机溶液进行涂布和前烘形成薄膜，其中，所述化学活性组分中包括重氮萘醌感光树脂；掩膜曝光步骤：在所述薄膜上进行掩膜，未掩膜的所述薄膜在曝光后用碱性溶液除去；氧化物薄膜形成步骤：将掩膜部分经高能紫外线照射和臭氧处理后，经烧 结固化形成氧化物薄膜。可选地，根据本专利技术的制备方法，所述重氮萘醌感光树脂包括式I所示的化合物；其中，R1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：涂布前烘成膜步骤：将含有化学活性组分的有机溶液进行涂布和前烘形成薄膜，其中，所述化学活性组分中包括重氮萘醌感光树脂；掩膜曝光步骤：在所述薄膜上进行掩膜，未掩膜的所述薄膜在曝光后用碱性溶液除去；氧化物薄膜形成步骤：将掩膜部分经高能紫外线照射和臭氧处理后，经烧结固化形成氧化物薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：涂布前烘成膜步骤：将含有化学活性组分的有机溶液进行涂布和前烘形成薄膜，其中，所述化学活性组分中包括重氮萘醌感光树脂；掩膜曝光步骤：在所述薄膜上进行掩膜，未掩膜的所述薄膜在曝光后用碱性溶液除去；氧化物薄膜形成步骤：将掩膜部分经高能紫外线照射和臭氧处理后，经烧结固化形成氧化物薄膜。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述重氮萘醌感光树脂包括式I所示的化合物；其中，R1和R2各自独立地选自：n为0、1、2或3，m为0、1、2、或3，且n+m≤3；x为0、1、2或3，y为0、1、2、或3，且x+y≤3。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述重氮萘醌感光树脂选自下述化合物中的一种：4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述掩膜曝光步骤中，在365nm紫外光辐照下进行曝光。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化物薄膜包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪建国，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11