硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法技术

技术编号:9296445 阅读:204 留言:0更新日期:2013-10-31 00:50
本发明专利技术提供一种硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法,通过使用氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层,避免现有低K介质刻蚀技术中无机TixFy残留物的形成,且氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层易于移除,从而抑制了后续铜电镀工艺中的孔洞缺陷的形成,改善了器件电迁移和和可靠性,提高了产品良率;进一步的,通过刻蚀后的氮气处理工艺在低K介质层的刻蚀内壁上形成阻挡层,缓和了低K介质层和氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层的湿法腐蚀选择比差异,避免低K介质层在湿法腐蚀移除氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层时受损,有效增大低K介质层的刻蚀后的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硬掩膜层结构,包括金属硬掩膜层,其特征在于,所述金属硬掩膜层为氮化亚铜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:符雅丽张海洋
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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