一种阵列基板的制作方法及相应装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板的制作方法及相应装置，用以解决目前现有的TFT阵列基板，一般需进行7次掩膜曝光，制作工艺较为复杂，且需要在保护层上设置过孔，制作工艺难度大的问题。该方法包括：在衬底基板上依次形成遮光层、有源层、层间绝缘层、像素电极、源漏极、栅极绝缘层、以及栅极的图形；其中，通过一道构图工艺形成像素电极和源漏极的图形。本发明专利技术中的制作方法，通过一道构图工艺形成像素电极和源漏极的图形，进而实现了可以仅通过6道构图工艺完成阵列基板的制作，减少了使用的掩膜版数量，简化了制程，并降低了生产成本；同时，本发明专利技术中像素电极与源漏极直接接触，无需制作过孔，降低了制作的工艺难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及相应装置。
技术介绍
在液晶显示领域中，薄膜晶体管的有源层一直使用稳定性能、加工性能等优异的硅系材料，硅系材料主要分为非晶硅和多晶硅，其中非晶硅材料迁移率很低，而多晶硅材料虽然有较高的迁移率，但用其制造的器件均匀性较差，良率低，单价高。所以近年来，将透明氧化物半导体膜用于沟道形成区来制造TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等，并应用于电子器件及光器件的技术受到广泛关注。现有的TFT阵列基板的工艺中，制作工艺较为复杂，需进行7次掩膜曝光，分别为遮光层，有源层，栅极，绝缘层和栅极绝缘层的过孔设置，数据线以及源漏极，钝化层，以及透明像素电极。多次的掩膜曝光加大了工艺的难度，容易出现由于对位精度不足引起的不良，使产品良率下降；同时，由于像素电极设置在保护层上，需要在保护层上设置多个过孔，以使像素电极与源漏电极相连，但在保护层上设置过孔的制作工艺难度大。综上所述，现有的TFT阵列基板，一般需进行7次掩膜曝光，制作工艺较为复杂，且需要在保护层上设置过孔，制作工艺难度大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的一种阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成遮光层、有源层、层间绝缘层、像素电极、源漏极、栅极绝缘层、以及栅极的图形；其中，通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述源漏极的图形。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成遮光层、有源层、层间绝缘层、像素电极、源漏极、栅极绝缘层、以及栅极的图形；其中，通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述源漏极的图形。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述有源层图形的同时，形成与所述有源层同层设置，且位于像素电极区域的第一支撑膜层；以及，在形成所述层间绝缘层图形的同时，形成与所述层间绝缘层同层设置，且位于像素电极区域的第二支撑膜层；其中，所述第一支撑膜层的图形与所述第二支撑膜层的图形相互重叠。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述源漏极的图形，具体包括：在衬底基板上依次形成像素电极层、金属层和光刻胶层；使用第一掩膜板对所述光刻胶层曝光显影，去除掉与所述有源层沟道区域对应的像素电极层和金属层；采用灰化工艺减薄所述光刻胶层直至去除掉所述光刻胶层中与所述第二支撑膜层正对的区域；采用刻蚀工艺去除掉光刻胶层未覆盖区域的金属层；剥离剩余的光刻胶层，得到所述像素电极和所述源漏极的图形、以及与所述像素电极同层设置，且用于连接所述源漏极和所述像素电极的连接薄膜的图形。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过一道构图工艺形成所述有源层和所述层间绝缘层的图形、以及位于像素电极区域的所述第一支撑膜层和所述第二支撑膜层的图形。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通过一道构图工艺形成所述有源层和所述层间绝缘层的图形、以及位于像素电极区域的所述第一支撑膜层和所述第二支撑膜层的图形，具体包括：在衬底基板上依次形成有源层、绝缘材料和光刻胶层；使用第二掩膜板对所述光刻胶层曝光显影，得到光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全保留区域；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛菁，张方振，彭宽军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11