显示面板及其制造方法、显示器技术

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制造方法、显示器，该显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板、设置在第一基板上且依次沿靠近第二基板的方向设置的黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层，黑色矩阵遮挡由第一基板射入且射向多晶硅层的环境光，栅极层、漏源层共同遮挡由第二基板射入且射向多晶硅层的背光。本发明专利技术还公开了一种显示面板的制造方法和显示器。通过上述方式，本发明专利技术能够简化显示面板的制造工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制造方法、显示器。
技术介绍
目前，随着液晶显示器的广泛应用，高分辨率成为发展趋势。为了提升高分辨率像素下的开口率，开发和使用了LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)工艺，然而LTPS工艺复杂，在为了确保LTPS TFT性能的前提下通常需要10～12道光罩，再加上CF侧的光罩，使得LTPS显示面板的工艺更加的复杂/光罩繁多。因此，需要提供一种显示面板及其制造方法、显示器，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制造方法、显示器，能够简化显示面板的制造工艺。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板、设置在第一基板上且依次沿靠近第二基板的方向设置的黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层，黑色矩阵遮挡由第一基板射入且射向多晶硅层的环境光，栅极层、漏源层共同遮挡由第二基板射入且射向多晶硅层的背光。其中，显示面板还包括设置在漏源层靠近第二基板一侧的色阻层，色阻层将漏源层平坦化。其中，显示面板还包括设置在漏源层靠近第二基板一侧的色阻层和设置在色阻层靠近第二基板的表面上的平坦化层，色阻层和平坦化层共同将漏源层平坦化。其中，显示面板还包括缓冲层、栅极绝缘层以及层间介质层，缓冲层设置在黑色矩阵和第一基板上，多晶硅层设置在缓冲层上，栅极绝缘层设置在多晶硅层和缓冲层上，栅极层设置在栅极绝缘层上，层间介质层设置在栅极层和栅极绝缘层上，漏源层设置在层间介质层上且通过设置在层间介质层上的过孔与多晶硅层导通。其中，显示面板还包括设置于色阻层上的公共电极层、设置在色阻层和公共电极层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的像素电极，像素电极通过设置在绝缘层上的过孔与漏源层导通。其中，显示面板还包括设置于平坦化层上的公共电极层、设置在平坦化层和公共电极层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的像素电极，像素电极通过设置在绝缘层上的过孔与漏源层导通。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板的制造方法，该制造方法包括：使黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层依次沿远离第一基板的方向设置在第一基板上；第一基板和第二基板进行对组形成显示面板，以使黑色矩阵遮挡由第一基板射入且射向多晶硅层的环境光，栅极层、漏源层共同遮挡由第二基板射入且射向多晶硅层的背光。其中，使黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层依次沿远离第一基板的方向设置在第一基板上之后还包括：在漏源层靠近第二基板一侧形成色阻层，以使色阻层将漏源层平坦化；或者，使黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层依次沿远离第一基板的方向设置在第一基板上之后还包括：在漏源层靠近第二基板一侧形成色阻层；在色阻层靠近第二基板的表面上形成平坦化层。其中，使黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层依次沿远离第一基板的方向设置在第一基板上之后还包括：在漏源层靠近第二基板一侧形成包括部分色阻的色阻层，并预留剩余色阻的间隙；在间隙中填满剩余色阻的材料，并使剩余色阻的材料铺在色阻层上；将色阻层上的剩余色阻材料刮平并使剩余色阻材料成型，以形成剩余色阻和由色阻层上的剩余色阻材料成型形成的平坦化层；蚀刻保留预定位置的平坦化层。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种显示器，该显示器包括上述的显示面板和用于为显示面板提供背光的背光模组。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术的显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板、设置在第一基板上且依次沿靠近第二基板的方向设置的黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层，黑色矩阵遮挡由第一基板射入且射向多晶硅层的环境光，栅极层、漏源层共同遮挡由第二基板射入且射向多晶硅层的背光，通过上述方式，本专利技术通过黑色矩阵遮挡环境光线，同时通过漏源层和栅极层遮挡背光光线的功能，省去了原本用来遮挡环境光的Shield(遮挡)层的制程。附图说明图1是本专利技术第一实施例的显示面板的结构示意图；图2是本专利技术第二实施例的显示面板的结构示意图；图3是本专利技术显示器的结构示意图；图4是本专利技术显示面板制造方法的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。请参阅图1，图1是本专利技术第一实施例的显示面板的结构示意图。在本实施例中，显示面板包括相对设置的第一基板11和第二基板12、夹持在第一基板11和第二基板12之间的液晶层13、设置在第一基板11上且依次沿靠近第二基板12的方向设置的黑色矩阵14、多晶硅层15、栅极层16、漏源层17。黑色矩阵15遮挡由第一基板11射入且射向多晶硅层15的环境光，栅极层16、漏源层17共同遮挡由第二基板12射入且射向多晶硅层15的背光。也就是说，黑色矩阵15在多晶硅层15所在平面的垂直投影覆盖多晶硅层15，栅极层16、漏源层17在多晶硅层15所在平面的垂直投影覆盖多晶硅层15。优选地，黑色矩阵14可以采用Cr(铬金属)等能呈现黑色或者其他期望颜色的金属以及金属化合物制作，以便该黑色矩阵14能够经受后续高温工艺。由于黑色矩阵14遮挡由第一基板11射入且射向多晶硅层15的环境光，栅极层16、漏源层17共同遮挡由第二基板12射入且射向多晶硅层15的背光，因此可以省去一道遮挡层的制程。优选地，显示面板还包括设置在漏源层17靠近第二基板12一侧的色阻层18，色阻层18将漏源层17平坦化。由于色阻层18起到了将漏源层17平坦化的作用因此不需要另外设置在漏源层17上设置平坦化层，因此可以省去一道平坦化层的制程。优选地，在本实施例中，显示面板还包括缓冲层19、栅极绝缘层20以及层间介质层21。缓冲层19设置在黑色矩阵15和第一基板11上，多晶硅层15设置在缓冲层19上，栅极绝缘层20设置在多晶硅层15和缓冲层19上，栅极层16设置在栅极绝缘层20上，层间介质层21设置在栅极层16和栅极绝缘层20上，漏源层17设置在层间介质层21上且通过设置在层间介质层21上的过孔与多晶硅层15导通。优选地，显示面板还包括设置于色阻层18上的公共电极层22、设置在色阻层18和公共电极层22上的绝缘层23以及设置在绝缘层23上的像素电极24，像素电极24通过设置在绝缘层23上的过孔与漏源层17导通。优选地，缓冲层19包括层叠的氮化硅(SiNx)层191和氧化硅(SiOx)层192。更为优选地，氮化硅层191设置在黑色矩阵15和第一基板11上。氧化硅层192设置在氮化硅层191上。在其他实施例中，可以将氮化硅层191的位置与氧化硅层192进行调换，即氧化硅层192设置在黑色矩阵15和第一基板11上。氮化硅层191设置在氧化硅层192上。优选地，层间介质层21包括层叠的氧化硅层211和氮化硅层212。更为优选地，氧化硅层211设置在栅极层16和栅极绝缘层20上，氮化硅层212设置在氧化硅层211上。在其他实施例中，氧化硅层211和氮化硅层212的位置也可以调换，即氮化硅层212设置在栅极层16和栅极绝缘层20上，氧化硅层211设置在氮化硅层212上。优选地，第二基板12靠近第一基板11一侧表面上设置有隔离层25。隔离层25可以是SiNx(氮化硅)、SIOx(氧化硅)或者树脂平坦化层等材料或者其中任意几种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板、设置在第一基板上且依次沿靠近所述第二基板的方向设置的黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层，所述黑色矩阵遮挡由所述第一基板射入且射向所述多晶硅层的环境光，所述栅极层、所述漏源层共同遮挡由所述第二基板射入且射向所述多晶硅层的背光。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板、设置在第一基板上且依次沿靠近所述第二基板的方向设置的黑色矩阵、多晶硅层、栅极层、漏源层，所述黑色矩阵遮挡由所述第一基板射入且射向所述多晶硅层的环境光，所述栅极层、所述漏源层共同遮挡由所述第二基板射入且射向所述多晶硅层的背光。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在所述漏源层靠近所述第二基板一侧的色阻层，所述色阻层将所述漏源层平坦化。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在所述漏源层靠近所述第二基板一侧的色阻层和设置在所述色阻层靠近所述第二基板的表面上的平坦化层，所述色阻层和所述平坦化层共同将所述漏源层平坦化。4.根据权利要求1-3任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括缓冲层、栅极绝缘层以及层间介质层，所述缓冲层设置在所述黑色矩阵和所述第一基板上，所述多晶硅层设置在所述缓冲层上，所述栅极绝缘层设置在所述多晶硅层和所述缓冲层上，所述栅极层设置在所述栅极绝缘层上，所述层间介质层设置在所述栅极层和所述栅极绝缘层上，所述漏源层设置在所述层间介质层上且通过设置在所述层间介质层上的过孔与所述多晶硅层导通。5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述色阻层上的公共电极层、设置在所述色阻层和所述公共电极层上的绝缘层以及设置在所述绝缘层上的像素电极，所述像素电极通过设置在所述绝缘层上的过孔与所述漏源层导通。6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述平坦化层上的公共电极层、设置在所述平坦化层和所述公共电极层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐岳军，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42