一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，当阵列基板中电极通过过孔与漏极相连接时，能够减小过孔区域的落差，降低电极与漏极在该过孔区域出现接触不良的几率。该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管，以及依次设置在薄膜晶体管上的第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极，在薄膜晶体管的漏极所在位置处，第一绝缘层具有第一过孔，第二绝缘层具有第二过孔，该阵列基板还包括：位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的导电图案，导电图案覆盖第一过孔、并与漏极接触，第一电极覆盖第二过孔、并与导电图案接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断提高，人们对于显示装置的要求也在不断提高，在各种显示技术中，以TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)为控制元件，集大规模半导体集成电路和平板光源技术于一体的光电子产品，例如薄膜晶体管显示器，以低功耗，方便携带，使用范围广，高品质等优点成为新一代的主流显示产品。以TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)为例，如图1所示，该显示器中的阵列基板包括设置于衬底基板10上的薄膜晶体管100、公共电极20以及像素电极30，其中，像素电极30相对于公共电极20远离薄膜晶体管100，且像素电极30通过过孔40与薄膜晶体管100的漏极101相连接。然而，如图1所示，由于像素电极30与漏极101在垂直衬底基板10方向上的距离较大，从而使得过孔40的落差高度H较大，过孔40侧面的坡度较陡，并且由于像素电极30的薄膜层自身厚度较薄，因此在沉积像素电极30的薄膜层时，在该过孔40侧面以及底面处容易出现沉积不均匀的现象，容易导致像素电极30与漏极101之间出现接触不良的问题，特别是当该阵列基板应用于弯曲或柔性显示产品时，在弯折的过程中，在过孔40处不均匀的膜层容易出现断裂等现象，造成显示不良。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板中电极通过过孔与漏极相连接时，能够减小过孔区域的落差，降低电极与漏极在该过孔区域出现接触不良的几率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例一方面提供一种阵列基板，包括：设置于衬底基板上的薄膜晶体管，以及依次设置在所述薄膜晶体管上的第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极，在所述薄膜晶体管的漏极所在位置处，所述第一绝缘层具有第一过孔，所述第二绝缘层具有第二过孔；所述阵列基板还包括：位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的导电图案，所述导电图案覆盖所述第一过孔、并与所述漏极接触，所述第一电极覆盖所述第二过孔、并与所述导电图案接触。进一步的，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和第一绝缘层之间的第二电极，在亚像素区域内，所述第一电极与所述第二电极沿所述衬底基板的垂直方向相对设置。进一步的，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和第一绝缘层之间触控电极线，所述触控电极线与所述第二电极的表面相接触。进一步的，所述触控电极线位于所述第二电极背离所述衬底基板一侧的表面上。进一步的，所述触控电极线的厚度大于所述第二电极的厚度。进一步的，所述触控电极线由金属材料构成。进一步的，所述导电图案与所述第二电极同层同材料；或者，所述导电图案与所述触控电极线同层同材料；或者，所述导电图案包括层叠设置的第一导电子图案和第二导电子图案，所述第一导电子图案与所述第二电极同层同材料，所述第二导电子图案与所述触控电极线同层同材料。本专利技术实施例另一方面还提供一种显示装置，包括权利要求上述任一种阵列基板。进一步的，在所述阵列基板包括第一电极和第二电极的情况下：所述显示装置为液晶显示装置，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；或者，所述显示装置为有机发光显示装置，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。本专利技术实施例再一方面还提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层在对应所述薄膜晶体管的漏极的位置处具有第一过孔；在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第一导电薄膜，并对所述第一导电薄膜构图形成第一导电层，所述第一导电层包括覆盖所述第一过孔的导电图案；在形成有所述第一导电层的衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层在对应所述导电图案的位置处具有第二过孔；在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成第一电极，且所述第一电极覆盖所述第二过孔、并与所述导电图案接触。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管，以及依次设置在薄膜晶体管上的第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极，在薄膜晶体管的漏极所在位置处，第一绝缘层具有第一过孔，第二绝缘层具有第二过孔；该阵列基板还包括位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的导电图案，导电图案覆盖第一过孔、并与漏极接触，第一电极覆盖第二过孔、并与导电图案接触。由于第一绝缘层中的第一过孔和第二绝缘层中的第二过孔均位于薄膜晶体管的漏极所在位置处，当第一电极覆盖第二过孔时，该第一电极会与覆盖第一过孔的导电图案接触，通过导电图案与漏极相连接，这样一来，相对于现有技术中，第一电极在垂直衬底基板方向上需要跨过第一过孔和第二过孔的整体落差高度与漏极相连接而言，本专利技术中，第一电极通过导电图案与漏极相连接，由于覆盖第一过孔的导电图案自身具有一定的厚度，从而使得第一电极在过孔区域跨过的落差高度减小，进而降低了第一电极在过孔区域出现断裂等现象的几率，降低了第一电极与漏极连接时出现接触不良的几率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程图；图9a为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的结构示意图之一；图9b为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的结构示意图之一；图9c为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的结构示意图之一；图9d为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的结构示意图之一。附图标记：01-阵列基板；10-衬底基板；20-公共电极；30-像素电极；40-过孔；41-第一过孔；42-第二过孔；50-触控电极；100-薄膜晶体管；101-漏极；110-第一绝缘层；120-第二绝缘层；201-第一电极；202-第二电极；300-导电图案；301-第一导电子图案；302-第二导电子图案。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板，如图2所示，该阵列基板01包括：设置于衬底基板10上的薄膜晶体管100，以及依次设置在薄膜晶体管上的第一绝缘层110、第二绝缘层120、第一电极201，在薄膜晶体管100的漏极101所在位置处，第一绝缘层110具有第一过孔4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：设置于衬底基板上的薄膜晶体管，以及依次设置在所述薄膜晶体管上的第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极，在所述薄膜晶体管的漏极所在位置处，所述第一绝缘层具有第一过孔，所述第二绝缘层具有第二过孔；所述阵列基板还包括：位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的导电图案，所述导电图案覆盖所述第一过孔、并与所述漏极接触，所述第一电极覆盖所述第二过孔、并与所述导电图案接触。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：设置于衬底基板上的薄膜晶体管，以及依次设置在所述薄膜晶体管上的第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极，在所述薄膜晶体管的漏极所在位置处，所述第一绝缘层具有第一过孔，所述第二绝缘层具有第二过孔；所述阵列基板还包括：位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的导电图案，所述导电图案覆盖所述第一过孔、并与所述漏极接触，所述第一电极覆盖所述第二过孔、并与所述导电图案接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和第一绝缘层之间的第二电极，在亚像素区域内，所述第一电极与所述第二电极沿所述衬底基板的垂直方向相对设置。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和第一绝缘层之间触控电极线，所述触控电极线与所述第二电极的表面相接触。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极线位于所述第二电极背离所述衬底基板一侧的表面上。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极线的厚度大于所述第二电极的厚度。6.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极线由金属材料构成。7.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图案与所述第二电极同层同材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11