阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、显示装置，属于液晶显示技术领域，其可至少部分解决现有的阵列基板中公共电极的信号均一性较差、影响显示效果的问题。本发明专利技术的阵列基板包括基底并具有多个像素，每个所述像素中设有公共电极，部分相邻像素的公共电极间设有第一引线，所述第一引线所在层与公共电极所在层之间无绝缘层，且至少部分之间设有第一引线的相邻的公共电极通过连接部电连接，所述连接部与第一引线绝缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示
，具体涉及一种阵列基板、显示装置。
技术介绍
ADS(Advanced super Dimension Switch，高级超维场转换)模式的阵列基板是液晶显示装置的阵列基板的一种形式。在ADS模式的阵列基板中，各像素中同时设有公共电极和像素电极。例如，可以是公共电极为板状上，其上方(即远离基底一侧)设有栅绝缘层、钝化层等，而像素电极设于钝化层上方且具有狭缝。为给像素电极提供电压，相邻行像素间设有栅线，相邻列像素间设有数据线。通常而言，栅线与公共电极都位于栅绝缘层下方，故栅线所在层与公共电极所在层间没有任何绝缘层。由此，阵列基板的不同行的像素中的公共电极不能连接(否则会使公共电极与栅线导通)，这导致公共电极的信号均一性较差，降低了显示效果。
技术实现思路
本专利技术至少部分解决现有的阵列基板中公共电极的信号均一性较差、影响显示效果的问题，提供一种公共电极的信号均一性好、显示效果佳的阵列基板、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基底并具有多个像素，每个所述像素中设有公共电极，部分相邻像素的公共电极间设有第一引线，所述第一引线所在层与公共电极所在层之间无绝缘层，且至少部分之间设有第一引线的相邻的公共电极通过连接部电连接，所述连接部与第一引线绝缘。优选的是，所述连接部与公共电极同层设置；所述第一引线在连接部处断开，断开处两侧的第一引线通过与连接部交叉的连接桥电连接；所述连接桥与连接部之间设有第一绝缘层。进一步优选的是，每个所述像素中，在逐渐远离所述基底的方向上依次设有所述公共电极，第一绝缘层、像素电极；其中，所述连接桥与像素电极同层设置。进一步优选的是，所述连接部远离或靠近基底的一侧设有第一辅助导电层，所述第一辅助导电层与第一引线同层设置。优选的是，每个所述像素中，在逐渐远离所述基底的方向上依次设有所述公共电极，第二绝缘层、像素电极，所述像素电极具有狭缝；其中，所述连接部位于第二绝缘层远离基底的一侧，且其两端部分别通过第二绝缘层中的过孔与两个公共电极电连接；所述连接部的端部朝向其所在像素中的像素电极的狭缝的边缘为第一边，像素电极与所述第一边相对的边缘为第二边，所述第一边和第二边均与该像素电极的狭缝平行。进一步优选的是，所述连接部与像素电极同层设置。进一步优选的是，所述第一引线所在层比公共电极所在层更远离基底，所述连接部的端部与公共电极间还设有第二辅助导电层，所述第二辅助导电层与第一引线同层设置。进一步优选的是，所述第二辅助导电层在基底上的正投影与像素电极在基底上的正投影无重叠。优选的是，所述第一引线为栅线。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的任意一种阵列基板。本专利技术的阵列基板中，至少部分之间设有第一引线的相邻公共电极间通过连接部实现电连接，而连接部与第一引线绝缘，由此其可在不导致公共电极与第一引线导通的情况下增加公共电极间的电连接，从而使公共电极上的信号均一性更好，改善显示效果。附图说明图1为本专利技术的实施例的一种阵列基板的局部俯视结构示意图；图2为图1中沿AA’的局部剖面结构示意图；图3为图1中沿BB’的局部剖面结构示意图；图4为本专利技术的实施例的另一种阵列基板的局部俯视结构示意图；图5为图4中沿CC’的局部剖面结构示意图；图6为本专利技术的实施例的另一种阵列基板的局部模拟漏光图；其中，附图标记为：1、栅线；2、公共电极；3、连接部；4、像素电极；41、狭缝；5、连接桥；61、第一辅助导电层；62、第二辅助导电层；81、栅绝缘层；82、钝化层；9、基底。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。在本专利技术中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层经构图工艺后形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离必然相等。在本专利技术中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可包括压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。实施例1：本实施例提供一种阵列基板，其包括基底并具有多个像素，每个所述像素中设有公共电极，部分相邻像素的公共电极间设有第一引线，所述第一引线所在层与公共电极所在层之间无绝缘层，且，至少部分之间设有第一引线的相邻的公共电极通过连接部电连接，所述连接部与第一引线绝缘。该阵列基板分为多个像素，每个像素中均具有公共电极，由此其为ADS模式的阵列基板。其中，部分相邻像素(如相邻行像素)之间设有第一引线(如栅线)，且第一引线与公共电极之间没有绝缘层，故若之间有第一引线的相邻公共电极(即之间有第一引线的相邻像素中的公共电极)直接相连，则会导致公共电极与第一引线导通。为此，本实施例的阵列基板中使用连接部将之间有第一引线的相邻公共电极电连接，且该连接部与第一引线保持绝缘。本实施例的阵列基板中，至少部分之间设有第一引线的相邻公共电极间通过连接部实现电连接，而连接部与第一引线绝缘，由此其可在不导致公共电极与第一引线导通的情况下增加公共电极间的电连接，从而使公共电极上的信号均一性更好，改善显示效果。实施例2：如图1至图3所示，本实施例提供一种阵列基板，其包括基底9并具有多个像素，每个像素中设有公共电极2，部分相邻像素的公共电极2间设有第一引线，第一引线所在层与公共电极2所在层之间无绝缘层，且，至少部分之间设有第一引线的相邻的公共电极2通过连接部3电连接，连接部3与第一引线绝缘。该阵列基板分为多个像素，每个像素中均具有公共电极2，由此其为ADS模式的阵列基板。其中，部分相邻像素(如相邻行像素)之间设有第一引线(如栅线1)，且第一引线与公共电极2之间没有绝缘层。该基板中使用连接部3将之间有第一引线的相邻公共电极2电连接，该连接部3与第一引线保持绝缘。优选的，以上第一引线为栅线1。在ADS模式的阵列基板中，公共电极2和栅线1可以是最先形成的，二者之间没有绝缘层，因此栅线1通常符合以上第一引线的条件。相应的，通常栅线1是沿行方向延伸的，故之间有第一引线的相邻像素就是相邻行的像素，之间有第一引线的相邻公共电极2就是相邻行像素中的公共电极2。下面就以此为例详细介绍本实施例。当然，当第一引线为栅线1时，相邻列像素之间通常设置的是数据线，而数据线与公共电极2间通常具有栅绝缘层81等绝缘层，故同行的相邻像素中的公共电极2可直接连为一体以提高信号均一性，在此不再详细描述。同时，在每两个相邻行中具有多“对”在列方向上相邻的像素，在这多对相邻像素中，可以是每对相邻像素的公共电极2均通过以上连接部3电连接，或者，也可以是只有部分相邻像素之间电连接，在此不再详细描述。在本实施例中，连接部3与公共电极2同层设置；栅线1在连接部3处断开，断开处两侧的栅线1通过与连接部3交叉的连接桥5电连接；连接桥5与连接部3之间设有第一绝缘层。如图2所示，根据本实施例的方式，连接部3是与公共电极2同层设置的，即相邻行的公共电极2中，有至少部分通过同层的透明导电材料(如氧化铟锡)直接相连。其中，为了清楚表示电极等其它结构，故在图2中，并未示出栅绝缘层81、钝化层82等基本完整的绝缘层结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括基底并具有多个像素，每个所述像素中设有公共电极，部分相邻像素的公共电极间设有第一引线，所述第一引线所在层与公共电极所在层之间无绝缘层，特征在于，至少部分之间设有第一引线的相邻的公共电极通过连接部电连接，所述连接部与第一引线绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基底并具有多个像素，每个所述像素中设有公共电极，部分相邻像素的公共电极间设有第一引线，所述第一引线所在层与公共电极所在层之间无绝缘层，特征在于，至少部分之间设有第一引线的相邻的公共电极通过连接部电连接，所述连接部与第一引线绝缘。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部与公共电极同层设置；所述第一引线在连接部处断开，断开处两侧的第一引线通过与连接部交叉的连接桥电连接；所述连接桥与连接部之间设有第一绝缘层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素中，在逐渐远离所述基底的方向上依次设有所述公共电极，第一绝缘层、像素电极；其中，所述连接桥与像素电极同层设置。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部远离或靠近基底的一侧设有第一辅助导电层，所述第一辅助导电层与第一引线同层设置。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素中，在逐渐远离所述基底的方向上依次设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小元，王武，方琰，郭建东，金在光，尚飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11