垂直MIM电容及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直MIM电容，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，其中，一个凹槽的一侧壁与另一凹槽的一侧壁之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；两层金属层分别沿所述电容的绝缘层两侧端面自上而下经沟槽的底部和沟槽的另一侧壁一直延伸到所述凹槽上侧端端面，由所述金属层引出所述电容的两端电极。本发明专利技术还公开了一种所述垂直MIM电容的制造方法。当需要制作电容量比较大的电容时，采用本发明专利技术也能避免加大芯片面积，且能保持电容的击穿特性和精度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种垂直MIM电容，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，其中，一个凹槽的一侧壁与另一凹槽的一侧壁之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；两层金属层分别沿所述电容的绝缘层两侧端面自上而下经沟槽的底部和沟槽的另一侧壁一直延伸到所述凹槽上侧端端面，由所述金属层引出所述电容的两端电极。本专利技术还公开了一种所述垂直MIM电容的制造方法。当需要制作电容量比较大的电容时，采用本专利技术也能避免加大芯片面积，且能保持电容的击穿特性和精度。【专利说明】垂直MIM电容及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种垂直MIM (metal/insulator/metal，金属/绝缘层/金属)电容。本专利技术还涉及一种所述电容的制造方法。
技术介绍
在半导体集成电路中常常用到不同的电容。其中MIM电容，因为其良好的频率和温度特性经常被选用于射频，嵌入式存储器等集成电路中。传统的MM电容横截面示意图如图1所示，其中，由虚线框标出的部分是MM电容本体；包括第X-1层金属(作为电容的下级板)102，上极板金属层(作为电容的上极板)113，及位于其中间的绝缘层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直金属/绝缘层/金属MIM电容，其特征在于，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，其中，一个凹槽的一侧壁与另一凹槽的一侧壁之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；两层金属层分别沿所述电容的绝缘层两侧端面自上而下经沟槽的底部和沟槽的另一侧壁一直延伸到所述凹槽上侧端端面，由所述金属层引出所述电容的两端电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：