【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及微电子
，特别是指一种具有槽型终端的碳化硅SBD器件，包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离区、终端区、N-外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述终端区位于N-外延层上表面与肖特基接触区边缘处相连接，所述终端区在肖特基接触区边缘连续的一圈，所述终端区呈槽型结构，所述肖特基接触区金属边缘处下表面与终端区的连接端设有与槽型结构相配合的凹槽。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：满足传统碳化硅SBD器件所需要的击穿电压条件下，将传统SBD器件的终端改为槽型或阶梯型，简化工艺，降低制作难度，提高生产效率，降低生产成本，提高产品的合格率。【专利说明】—种碳化娃SBD器件
本专利技术涉及微电子
，特别是指一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件。
技术介绍
宽禁带半导体材料是是继第一代硅、锗和第二代砷化镓、磷化铟等材料以后发展起来的第三代半导体材料。在第三代半导体材料中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是其中的佼佼者。碳化硅材料技术已经成熟，已有高质量的4英寸晶圆。而氮化镓材料没有氮化镓衬底，外延只能依赖其他材...
【技术保护点】
一种碳化硅SBD器件，其特征在于，包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离区、终端区、N?外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述终端区位于N?外延层上表面与肖特基接触区边缘处相连接，所述终端区在肖特基接触区边缘连续的一圈，所述终端区呈槽型结构，所述肖特基接触区金属边缘处下表面与终端区的连接端设有与槽型结构相配合的凹槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张艺蒙，袁昊，宋庆文，汤晓燕，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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