一种碳化硅器件终端结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种碳化硅功率器件终端结构的制作方法，其步骤包括：清洗碳化硅衬底；沉积第一掩膜材料；第一掩膜材料图形化；沉积第二掩膜材料；第二掩膜材料图形化；刻蚀碳化硅衬底形成第一凹槽，所述第一凹槽底部和侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构；去除第二掩膜材料；刻蚀碳化硅衬底形成第二凹槽，所述第二凹槽底部和侧壁的转角处以及第二凹槽底部与第一凹槽侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构，第二凹槽侧壁近似垂直，与碳化硅衬底表面近似成直角；去除第一掩膜材料。通过本发明专利技术可有效地降低制作过程中光刻工艺的台阶高度，提高图形线条精度，有利于减小终端结构占用的芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种碳化硅器件终端结构的制作方法，依次包括以下步骤：S101.清洗碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包含第一和第二表面；S102.沉积第一掩膜材料，所述第一掩膜材料覆盖所述碳化硅衬底的第一表面；S103.第一掩膜材料图形化，暴露出部分碳化硅衬底的第一表面；S104.沉积第二掩膜材料，所述第二掩膜材料覆盖图形化的第一掩膜材料及暴露出的碳化硅衬底第一表面；S105.第二掩膜材料图形化，暴露出部分碳化硅衬底的第一表面，所述图形化的第二掩膜材料部分或全部覆盖图形化的第一掩膜材料；S106.刻蚀碳化硅衬底形成第一凹槽，所述第一凹槽底部和侧壁的转角处形成圆弧形过渡结构；S107.去除第二掩膜材料，暴露出图形化的第一掩膜材料和碳化硅衬底的第一表面；S108.刻蚀碳化硅衬底形成第二凹槽；S109.去除第一掩膜材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱韫晖，杨霏，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网智能电网研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11