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碳基电子的制作及互连方法技术

技术编号:11390573 阅读:54 留言:0更新日期:2015-05-02 02:39
本发明专利技术涉及微电子制作及互连领域,公开了一种碳基电子的制作及互连方法。首先将制作好的碳纳米管束转移至第一硅片中的硅垂直通孔内,其中,每个碳纳米管束对应一个所述硅垂直通孔;接着在每三个碳纳米管束之间的第一硅片的上表面制作一个水平的碳基晶体管;最后将每三个碳纳米管束中的每个碳纳米管束分别与碳基晶体管的源极、漏极和栅极互连,得到碳基电子。与现有技术相比,不仅实现了全碳电子的制作,同时实现了垂直方向碳纳米管束与水平方向上的碳基晶体管的三维互连,为碳基电子取代传统互补金属氧化物半导体技术提供了一种可能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种碳基电子的制作及互连方法,其特征在于,包含以下步骤:将制作好的碳纳米管束转移至第一硅片中的硅垂直通孔内,其中,每个所述碳纳米管束对应一个所述硅垂直通孔;在每三个所述碳纳米管束之间的所述第一硅片的上表面制作一个水平的碳基晶体管;将所述每三个碳纳米管束中的每个碳纳米管束分别与所述碳基晶体管的源极、漏极和栅极互连,得到所述碳基电子。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘建影
申请(专利权)人:上海大学
类型:发明
国别省市:上海;31

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