【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种肖特基二极管，包括：第一电极层，位于所述第一电极层上第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一导电类型的半导体外延层；形成在所述外延层中的有源区包括多个密排的第二导电类型的圆形掺杂区，形成在所述外延层上且与所述掺杂区接触的第二电极层，其特征在于，所述多个第二导电类型的圆形掺杂区的布置使得，在反向偏置电压下，由所述掺杂区形成的耗尽区夹断导通沟道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪炜江，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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