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本实用新型涉及一种肖特基二极管。该肖特基二极管包括：第一电极层，位于所述第一电极层上的第一导电类型的半导体衬底，位于所述半导体衬底上的第一导电类型的半导体外延层，形成在所述外延层中的多个密排的第二导电类型的圆形掺杂区，以及形成在所述外延层上...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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