【技术实现步骤摘要】
找到连接孔顶部开路的方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种找到连接孔顶部开路的方法。
技术介绍
在集成电路失效分析领域,电压衬度像经常用于电路的失效分析定位。如图1、2所示,其原理主要为当电子束(离子束)扫描过样品表面时,会与表面产生非弹性碰撞,并放射出一些低能(<50eV)的二次电子。这些电子一般仅能离开表面30nm以内,利用侦测器前端外加几百伏特的电压将这些二次电子吸收,并成像。样品表面的电位会影响二次点子的产率。电位越高放射二次电子量越少,电位越低放射量越多。利用此影像判断连接线/连接孔(金属线,硅栅,接触孔,通孔)的开路或短路。在进行接触孔、通孔等连接孔开路失效分析过程中,大部分案例都是在连接孔底部发生开路,其失效分析方式比较简单,就是通过研磨或者反应离子刻蚀,研磨至连接孔,然后采用电压衬度像,找出失效位置并进行断面分析。但是这种方式有个问题,就是对连接孔顶部的开路无能为力,因为研磨过程早已把顶部开路位置研磨掉,线索已经丢失。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种找到连接孔顶部开路的技术解决方案,采用这种方法,可以在不破坏连接孔顶部形貌的情况下,找到开路失效位置。为解决上述技术问题,本专利技术提供的一种找到连接孔顶部开路的方法,包括:步骤1、芯片开封,去除绝缘层,暴露导电互连线。步骤2、粘附芯片于基板。步骤3、将芯片研磨至关注的连接孔层次。步骤4、电压衬度分析,找出异常连接孔。步骤5、找出导致连接孔顶部开路的真正机理。进一步的,步骤2中所述基板为导电材料。进一步的,步骤2中所述的基板为铜胶基板或者硅基板 ...
【技术保护点】
一种找到连接孔顶部开路的方法,包括:步骤1、芯片开封,去除绝缘层,暴露导电互连线;步骤2、粘附芯片于基板;步骤3、将芯片研磨至关注的连接孔层次;步骤4、电压衬度分析,找出异常连接孔;步骤5、找出导致连接孔顶部开路的真正机理。
【技术特征摘要】
1.一种找到连接孔顶部开路的方法,包括:步骤1、芯片开封,去除绝缘层,暴露导电互连线;步骤2、粘附芯片于基板;所述的基板为铜胶基板或者硅基板;步骤3、将芯片研磨至关注的连接孔层次;步骤4、电压衬度分析,找出异常连接孔;步骤5、找出导致连接孔顶部开路的真正机理。2.如权利要求1所述的找到连接孔顶部开路的方法,其特征在于:步骤2中所述基板为导电材料。3.如权利要求1所述的找到连接孔顶部开路的方法,其特征在于:步骤2中所述基板面大小要比芯片面大。4.如权利要求3所述的找到连接孔顶部开路的方法,其特征在于:步骤2中所述的基板面大小为5cm*5cm。5.如权利要求1所述的找到连接孔顶部开路的方法,其特征在于:步骤3中所...
【专利技术属性】
技术研发人员:马香柏,曾志敏,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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