应用于低压炉管装置的压力检测系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种应用于低压炉管装置的压力检测系统包括控制单元、机械式压力开关和电容式压力计；机械式压力开关包括一底座，底座具有一个压力输入口并固定有一波纹管，压力输入口与顶部密封底部开放的波纹管相通；波纹管顶部固定有支撑杆，支撑杆上套设有连接信号的导电片；底座上固定装有支撑罩，波纹管、支撑杆和导电片位于支撑罩内，支撑罩顶部固定有两个导体棒；机械式压力开关通过导体棒顶部的两根导线串联在电容式压力计和控制单元形成的测试回路中。本发明专利技术在原有电容式压力计基础上增加了一个机械式压力开关，不但保留了电容式压力计的功能，而且对电容式压力计进行了双重确认，有效降低了因电容式压力计零点偏移导致的产品或石英部品的损坏。

【技术实现步骤摘要】
应用于低压炉管装置的压力检测系统
本专利技术涉及一种检测装置，具体属于一种应用于低压炉管装置的压力检测系统。
技术介绍
在半导体的制造过程中，经常利用LPCVD (Low Pressure Chemical VaporDeposition,即低压化学气相沉积)工艺形成多晶娃、氮化娃等薄膜，而该工艺通常在低压炉管装置中进行。目前，低压炉管装置的炉管内大气压力通常由电容式压力计来确定，所述电容式压力计3与一控制单元I构成一个测试回路，如图1所示，为了确保产品和石英部件的安全，低压炉管设备设定有INTERLOCK (互锁)功能，也就是说，当电容式压力计检测的炉管内压力低于750ton.(托)时，舟保留的炉管内不进行降舟动作。然而，现有的电容式压力计往往会发生零点偏移的缺陷，如果压力计出现负偏的情况，那么会延长电容式压力计实际到达大气压力的时间，导致舟无法及时退出炉管，增加了硅片在炉内的热履历，从而影响硅片的特性；如果压力计出现正偏的情况，当电容式压力计显示为760torr时，炉管内部的实际压力小于外部大气压力，降舟动作会造成倒灌，进而影响产品的颗粒，如果压差过大还会造成炉管内碎片或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于低压炉管装置的压力检测系统，其特征在于：包括控制单元（1）、机械式压力开关（2）和电容式压力计（3）；所述机械式压力开关（2）包括一底座（22），所述底座（22）具有一个压力输入口（21），该压力输入口（21）与一顶部密封且底部开放的波纹管（23）相通，所述波纹管（23）的下端固定在底座（22）上；所述波纹管（23）的封闭顶部固定有一支撑杆（25），所述支撑杆（25）上套设有一个连接信号的导电片（28）；所述底座（22）上固定装有一支撑罩（211），所述波纹管（23）、支撑杆（25）和导电片（28）均位于支撑罩（211）内部，所述支撑罩（211）的顶部固定装有两个导体棒（210），每...

【技术特征摘要】
1.一种应用于低压炉管装置的压力检测系统，其特征在于:包括控制单元(I)、机械式压力开关(2)和电容式压力计(3)； 所述机械式压力开关(2)包括一底座(22)，所述底座(22)具有一个压力输入口(21)，该压力输入口( 21)与一顶部密封且底部开放的波纹管(23)相通，所述波纹管(23)的下端固定在底座(22)上； 所述波纹管(23)的封闭顶部固定有一支撑杆(25)，所述支撑杆(25)上套设有一个连接信号的导电片(28); 所述底座(22)上固定装有一支撑罩(211)，所述波纹管(23)、支撑杆(25)和导电片(28)均位于支撑罩(211)内部，所述支撑罩(211)的顶部固定装有两个导体棒(210)，每个导体棒(210)的顶部连接有一根导线(212)； 所述机械式压力开关(2)通过两根导线(212)串联在电容式压力计(3)和控制单元(I)形成的测试回路中； 当炉管内的压力不低于设定的阈值时，所述波纹管(23)处于自然伸张的状态，导电片(28)与导体棒(210)接触，电容式压力计(3)与控制单元(I)连通； 当炉管内的压力低于设定的阈值时，所述波纹管(23)处于收缩的状态，导电片(28)与导体棒(210)分离，电容式压力计(3)与控制单元(I)未连通。2.根据权利要求1所述的应用于低压炉管装置的压力检测系统，其特征在于:所述电容式压力计(3)连接有两根信号线，其中一根信号线与控制单元(I)连接，另一根信号线与机械式压力开关(2)的一根导线(212)连接，机械式压力开关(2)的另一根导线(212)连接控制单元(I)。3.根据权利要求1所述的应用于低压炉管装置的压力检测系统，其特征在于:所述波纹管(23)、导电片(28...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立成，刘波，钱敏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：