【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种瞬态电压抑制器，包括：N型衬底上的P型外延层，P型外延层中并列形成有P型隔离阱和深P阱，所述P型隔离阱和深P阱与N型衬底有接触，形成在两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区，形成在P型注入区上方的N型注入区，形成在深P阱中的N型注入区；将P型注入区上方的N型注入区和深P阱中的N型注入区连接接出作为抑制器的一端，将N型衬底连接接出作为抑制器的另一端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬华，段文婷，石晶，胡君，钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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