【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底，P衬底上表面设有一层氧化层，氧化层从中部划分为阳极区域和阴极区域；P衬底上表面位于阳极区域内设有一具有第二导电类型的N阱，N阱内设有一具有第二导电类型的第一N+有源注入区；P衬底上表面位于阴极区域内设有一具有第一导电类型的P阱，P阱内设有一具有第二导电类型的第二N+有源注入区；第一N+有源注入区上设有阳极金属连接片；第二N+有源注入区上设有阴极金属连接片。本技术的穿通型瞬态电压抑制器，具有合适的触发电压，高的正向和反向钳位能力，能有效的防护正向和负向的静电脉冲，ESD防护效果好，且消耗芯片面积小，成本低廉，容易实现，具有良好的应用前景。【专利说明】一种穿通型瞬态电压抑制器
本技术涉及一种穿通型瞬态电压抑制器，属于片外集成电路静电防护
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技术介绍
随着电子工业的高速发展，时尚消费电子和便携式产品越来越多。而这些电子产品往往携带有很多的接口，需要跟其他电子设备通信，对于这些接口的可靠性设计关系严重关系到整台电子设备的使用寿命，其中ESD (Electrostatic Discharge,...
【技术保护点】
一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底（01），其特征在于：所述P衬底（01）上表面设有一层氧化层（02），所述氧化层（02）从中部划分为阳极区域和阴极区域；所述?P衬底（01）上表面位于阳极区域内设有一具有第二导电类型的N阱（03），所述N阱（03）内设有一具有第二导电类型的第一N+有源注入区（05）；所述?P衬底（01）上表面位于阴极区域内设有一具有第一导电类型的P阱（04），所述P阱（04）内设有一具有第二导电类型的第二N+有源注入区（06）；所述第一N+有源注入区（05）上设有连接到器件阳极的阳极金属连接片（07）；所述第二N+有源注入区（06）上设有连接到器件阴极的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董树荣，曾杰，郭维，钟雷，
申请(专利权)人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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