低电容单向瞬态电压抑制器制造技术

本发明专利技术提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明专利技术的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单向低电容瞬态电压抑制器，其特征在于，包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P?外延层，所述的P?外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N?有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N?有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵杰，翟东媛，赵毅，
申请(专利权)人：常州子睦半导体有限公司，南京大学，
类型：发明
国别省市：