【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高超级结产品良率的工艺方法，其特征在于：步骤一、根据超级结产品击穿电压的晶圆面内分布图确定晶圆内需要进行沟槽宽度补偿的区域和补偿数值；步骤二、根据得到的沟槽宽度补偿的区域和补偿数值，采用光刻工艺方法对需要沟槽宽度补偿的区域进行补偿。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，钟秋，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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