一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构，包括：集电区上方形成有基区、N型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离位于N型膺埋层上方；集电区上形成有金属硅化物通过接触孔连接金属连线；N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；发射区形成在基区和浅沟槽隔离上方，发射区上方形成有金属硅化物；其中，发射区上方的金属氧化物位于发射区上方两侧边缘且与发射区相邻，其通过接触孔引出连接金属连线；二氧化硅介质层位于发射区的上方，N型多晶硅层位于二氧化硅介质层上方。本发明专利技术还涉及一种所述寄生PNP器件结构的制造方法。本发明专利技术的寄生PNP器件结构与传统寄生PNP器件比较能提高电流增益效果，能用作高速、高增益射频电路中的输出器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构。本专利技术还涉及一种SiGe HBT工艺中寄生PNP器件结构的制造方法。
技术介绍
在射频应用中，需要越来越高的器件特征频率。在BiCMOS工艺技术中，NPN三极管特别是锗硅(或锗硅碳)异质结三极管(SiGe or SiGeC HBT)是超高频器件的很好选择。并且SiGe工艺基本与硅工艺相兼容，因此SiGe HBT已经成为超高频器件的主流之一。在这种背景下，其对输出器件的要求也相应地提高，比如具有一定的电流增益系数(不小于15)和截止频率。常规的SiGe HBT采用高掺杂的集电区埋层，以降低集电区电阻，另外采用深槽隔离降低集电区和衬底之间的寄生电容，改善HBT的频率特性。该器件工艺成熟可靠，但主要缺点有:1、集电区外延成本高；2、深槽隔离工艺复杂，而且成本较高；3.电流增益效果有限。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构与传统寄生PNP器件比较能提高电流增益效果。并且，其能用作高速、高增益射频电路中的输出器件，无需额外的工艺条件即能为射频电路提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构，包括：集电区其上方形成有基区、N型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离位于N型膺埋层上方，基区与N型膺埋层以及浅沟槽隔离相邻；集电区上形成有金属硅化物通过接触孔连接金属连线；N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；发射区形成在基区和浅沟槽隔离上方，发射区上方形成有金属硅化物，发射区和其上方的金属硅化物两侧具有第一隔离侧墙；其特征是：发射区上方的金属氧化物位于发射区上方两侧边缘且与发射区相邻，其通过接触孔引出连接金属连线，发射区上方的金属氧化物之间形成有二氧化硅介质层、N型多晶硅层和第二隔离侧墙；二氧化硅介质层位于发射区的上方，N型多晶硅层位于二氧化硅介...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段文婷，刘冬华，董金珠，钱文生，胡君，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31