下载一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法的技术资料

文档序号:8715057

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本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构,包括:集电区上方形成有基区、N型膺埋层和浅沟槽隔离,浅沟槽隔离位于N型膺埋层上方;集电区上形成有金属硅化物通过接触孔连接金属连线;N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线;发射区形成...
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