整合有闪存和EEPROM的存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种整合有闪存和EEPROM的存储器，闪存存储阵列和EEPROM存储阵列形成于同一存储器模块内，EEPROM存储阵列位于闪存存储阵列的旁侧，闪存存储阵列和EEPROM存储阵列共用周边电路。闪存存储阵列和EEPROM存储阵列的P阱互相隔离，闪存存储阵列和EEPROM存储阵列的字线互相独立、且分别提供电压。本发明专利技术能将闪存存储阵列和EEPROM存储阵列整合到同一IP内，能实现页擦写和字节擦写两种擦写方式，能共用周边电路、缩小芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种整合有闪存和EEPROM的存储器。
技术介绍
现今集成电路中，闪存(Flash)和电可擦除只读存储器(EEPROM)是普遍使用的两种嵌入式非易失型存储器。两者各有优缺点，Flash面积小，但只支持页擦写不支持字节擦写；EEPR0M支持字节擦写，但面积较大。而在很多应用中，既用到页擦写和又用到字节擦写，以页擦写为主，字节擦写为辅。普遍的做法是:直接采用EEPR0M，或采用Flash和EEPROM两个IP，IP为集成电路设计中预先设计、验证好的功能模块，面积消耗较大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种整合有闪存和EEPROM的存储器，能将闪存存储阵列和EEPROM存储阵列整合到同一 IP内，能实现页擦写和字节擦写两种擦写方式，还能缩小芯片面积。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种整合有闪存和EEPROM的存储器，闪存存储阵列和EEPROM存储阵列形成于同一存储器模块内，所述EEPROM存储阵列位于所述闪存存储阵列的旁侧，所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列共用周边电路；所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列的P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整合有闪存和EEPROM的存储器，其特征在于：闪存存储阵列和EEPROM存储阵列形成于同一存储器模块内，所述EEPROM存储阵列位于所述闪存存储阵列的旁侧，所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列共用周边电路；所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列的P阱互相隔离，所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列的字线互相独立、且分别提供电压。

【技术特征摘要】
1.一种整合有闪存和EEPROM的存储器，其特征在于: 闪存存储阵列和EEPROM存储阵列形成于同一存储器模块内，所述EEPROM存储阵列位于所述闪存存储阵列的旁侧，所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列共用周边电路； 所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列的P阱互相隔离，所述闪存存储阵列和所述EEPROM存储阵列的字线互相独立、且分别提供电压。2.按权利要求1所述的整合有闪存和EEPROM的存储器，其特征在于:所述闪存存储阵列由行列排列的多个闪存器件组成，所有的所述闪存器件形成于同一 P阱中，每一行的所述闪存器件的字线都连接在一起。3.按权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯国友，朱瑶华，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：