减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法技术

本发明专利技术公开了一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，包括以下步骤：第一步，形成第一层光刻胶；第二步，形成第二层光刻胶；第三步，对芯片进行曝光；第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。本发明专利技术通过两次涂胶，分别控制两次涂胶过程中芯片边缘曝光区域的大小，使得第二次涂胶过程中的芯片边缘曝光区域比第一次小，并利用第二次涂胶的边缘曝光斜坡为第一次的芯片边缘曝光区域作为硬膜进行显影，从而形成需要的图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体光刻工艺方法，具体涉及一种。
技术介绍
在半导体光刻工艺过程中，由于边缘效应，会造成芯片边缘的光阻厚度异常。为了去掉芯片边缘(wafer edge)的光阻，需要控制芯片边缘的光阻斜坡。现有的芯片边缘光阻斜坡的控制方式有EBR(Edge Bead Removal，边缘光刻胶去除法)和WEE (Wafer Edge Exposure,芯片边缘曝光)两种。但是这两种方式都有明显的缺点。EBR存在残留区域的问题，并且很难洗干净；另外，EBR本身的轮廓(profile)也不是很好。而WEE在操作过程中利用的是机械挡光而非透镜(Lens)的成像方式，角度极小，过渡的斜坡极大，因此存在斜坡的问题。上述这些问题都可能成为后续工艺缺陷(defect)的来源。如某些产品的深沟槽刻蚀工艺中，由于WEE去边后的斜坡极宽，芯片边缘PR (Photo Resist，光刻胶)厚度从O到Ium的区域大约有40um，这些区域的光刻胶的阻挡性不足，极易在刻蚀过程中产生针孔状缺陷。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，它可以解决芯片边缘的针孔状缺陷问题。为解决上述技术问题，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，形成第一层光刻胶；工序一、先采用六甲基二硅胺烷进行预处理，然后在底层上涂第一层光刻胶；之后进行软烘，然后用边缘光刻胶去除法对芯片进行洗边；工序二、进行第一次芯片边缘曝光；第二步，形成第二层光刻胶；工序一、不使用溶剂，在第一层光刻胶上涂第二层光刻胶；之后进行软烘，然后用边缘光刻胶去除法进行洗边；工序二、进行第二次芯片边缘曝光；第二次芯片边缘曝光的宽度小于第一次芯片边缘曝光的宽度；第三步，对芯片进行曝光；第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。

【技术特征摘要】
1.一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，其特征在于，包括以下步骤: 第一步，形成第一层光刻胶； 工序一、先采用六甲基二硅胺烷进行预处理，然后在底层上涂第一层光刻胶；之后进行软烘，然后用边缘光刻胶去除法对芯片进行洗边； 工序二、进行第一次芯片边缘曝光； 第二步，形成第二层光刻胶； 工序一、不使用溶剂，在第一层光刻胶上涂第二层光刻胶；之后进行软烘，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁刘胜，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：