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本发明公开了一种减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法，包括以下步骤：第一步，形成第一层光刻胶；第二步，形成第二层光刻胶；第三步，对芯片进行曝光；第四步，依次进行后烘、显影、硬烘。本发明通过两次涂胶，分别控制两次涂胶过程中芯片边缘曝光区域的大小，使...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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