【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的测量方法。
技术介绍
超级结(SJ) MOSFET通常采用交替排列的P型和N型硅外延柱层，使器件在截止状态下，P型区和N型区相互耗尽，从而使器件可以承受较高的击穿电压。对于P型和N型柱的制造工艺，目前比较流行的做法是，在硅外延层上刻蚀深沟槽，再向沟槽内填入反型硅外延。在硅外延层填入沟槽的过程中，由于沟槽的宽度逐渐变小，气体进入沟槽会越来越困难，从而导致沟槽内的硅外延层的电阻率有可能是不均匀的。SJ产品沟槽内硅外延电阻率的分布情况对产品的BV (击穿电压)等参数具有很大的影响。但是，由于沟槽的宽度是微米级的，因此，用常规的方法(例如，四探针法、汞探针法和扩展电阻法等)均无法有效测定出SJ沟槽内硅外延电阻率的分布。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以有效测定出SJ深沟槽内娃外延电阻率的横向分布情况,保证SJ产品的性倉泛。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括步骤:I)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满；2)根据步骤I)测...
【技术保护点】
测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法，其特征在于，包括步骤：1)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满；2)根据步骤1)测得的电阻值，分别计算各外延层的电阻值和电阻率。
【技术特征摘要】
1.量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法，其特征在于，包括步骤: 1)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满； 2)根据步骤I)测得的电阻值，分别计...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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