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本发明公开了一种测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法，包括步骤：1)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满；2)根据步骤1)测得的电阻值，分别计算各外延层的电阻值和电阻率。本发明通...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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