【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种区熔硅单晶的生产方法，特别涉及。
技术介绍
采用气掺法生产区熔硅单晶，其成本要远低于NTD法生产的硅单晶，但是其径向电阻率均匀性也比NTD区熔硅单晶要差，区熔硅单晶径向电阻率均匀性差主要是因为气掺过程中掺杂剂通过硅熔体的表面进入硅熔体中，所以硅熔体表面浓度较高，内部浓度较低， 因而导致掺杂剂在硅熔体中的分布较不均匀。目前提高均匀性的方法，主要是通过增强硅熔体的对流来达到的，如下轴正反转法、上轴偏心拉晶法以及优化上转、下转之间比例等方法，但对均匀性的提高仍不理想。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于提供一种提高区熔气掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法。众所周知，磁场是一种控制导电流体流动的有效方法，常用来控制熔体对流，进而达到控制单晶品质的目的。目前磁场在区熔硅单晶生产上的应用，主要采用恒定的磁场来抑制熔体的对流，进而防止硅熔体有过大的波动而断苞，由于下轴正反转等方法靠机械运动的带动，进而加强硅熔体的对流，是一种机械搅拌作用，机械搅拌强度太高时，会引起硅熔体表面的剧烈震动进而导致硅熔体断苞。本专利技术在硅熔体上施加旋转磁场，旋转磁场对硅熔体的电磁搅拌作...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张雪囡，王彦君，李建宏，邬丽丽，陈强，苗向春，李军，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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