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本发明涉及一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：旋转磁场发生器通过支架固定在区熔炉炉室的炉壁内距离硅单晶表面1～30cm处，在拉晶过程中向硅熔体施加旋转磁场，其旋转频率为1～19Hz。本发明的技术特点是可有效加强硅熔体内部的...
该专利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津市环欧半导体材料技术有限公司授权不得商用。

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