【技术实现步骤摘要】
本技术涉及加工硅单晶的装置，尤其是涉及一种用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构。
技术介绍
单晶硅生长主要有直拉法和区熔法。而直拉单晶硅生长由于其成本较低、品质良好而得到广泛应用。随着电力电子器件的发展及市场竞争越来越激烈。单晶硅的品质越来越受到重视，尤其是单晶径向电阻率均匀性(RRV)。而由于直拉硅晶体生长的特性，杂质浓度边界层与杂质分凝等综合效果，使切片上电阻率分布为中心低、边缘高的现象，即中心掺杂杂质浓度高、边缘掺杂杂质浓度低。因此，改善直拉硅单晶径向电阻率均匀性的途径，为减小界面杂质浓度边界层的差异，使电阻率分布更加均匀，一直以来都是技术人员攻关探索的课题。直拉硅单晶生长过程中采用常规导流筒的缺陷为：气流从上沿着单晶向下，到达熔体自由表面后，加速通过熔体表面，加剧了熔表面向坩埚边缘的流动，导致单晶边缘掺杂杂质扩散加快，进而使得单晶中心边缘掺杂杂质浓度加大，电阻率差加大，故RRV较差。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构，采用该导流筒结构可形成熔体自由表面上方的气体在两个方向上的流动；减少直拉硅单晶生长过程中边缘掺杂杂质向外的扩散，减小生长界面中心和边缘的掺杂浓度差，进而使单晶径向电阻率差减小，从而改善RRV。本技术采取的技术方案是：一种用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构，其特征在于，在导流筒下方筒壁上设有一圈导流小孔作为炉内氩气流动的气体流道。本技术所产生的有益效果是：将熔体自由表面上方的气体流动由单方向改为两个方向，降低...
【技术保护点】
一种用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构，其特征在于，在导流筒（1）下方筒壁上设有一圈导流小孔（3）作为炉内氩气流动的气体流道（7）。
【技术特征摘要】
1.一种用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构，其特征在于，在导流筒（1）下方筒壁上设有一圈导流小孔（3）作为炉内氩气流动的气体流道（7）。
2.根据权利要求1所述的用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构，其特征在于，导流小孔（3）直径设为1-5cm。
3....
【专利技术属性】
技术研发人员：娄中士，李亚哲，马萌，孙昊，孙毅，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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