一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法，包括如下步骤：1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片；2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺；3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘；4)光刻胶的旋涂和烘烤；5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚胺和光刻胶图形；6)显影后烘烤；7)用光刻胶剥离液剥离去除光刻胶；8)非感光性聚酰亚胺的固化。本发明专利技术将传统的非感光性聚酰亚胺工艺中的一步软烘分解成多步软烘，且在显影后增加一步烘烤，不仅成功的解决了非感光性聚酰亚胺的剥落和显影不足这一对相互矛盾的问题，同时也使得非感光性聚酰亚胺的软烘温度能在较大的范围内变动，提高了软烘的工艺窗口，大大减少了工艺控制的难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，尤其是。
技术介绍
非感光性polyimide (聚酰亚胺)材料由于其良好的耐高温特性、机械性能、电学性能以及化学稳定性，已被广泛的应用于半导体器件的钝化层工艺中，以减少各种自然环境和工作环境对半导体器件造成的损害，从而提高器件的可靠性和稳定性。由于非感光性聚酰亚胺的非感光性和可溶于显影液的特性，其工艺和一般的感光性聚酰亚胺有所不同，图1所示就是通常的非感光性聚酰亚胺光刻工艺，其基本过程就是在非感光性聚酰亚胺旋涂和软烘烤(Soft bake)之后，再在非感光性聚酰亚胺的上面旋涂一层光刻胶，然后通过曝光及显影的方法将已曝光的光刻胶及其底部的非感光性聚酰亚胺同时显影去除，再将未曝光的光刻胶去除，形成非感光性聚酰亚胺图形，经固化后获得非感光性聚酰亚胺钝化层。由此可见，同普通光刻胶工艺一样，在非感光性聚酰亚胺旋涂之后也有一步软烘过程，其目的就是通过一定时间和温度的烘烤去除非感光性聚酰亚胺里的大部分溶剂，增加其粘附性。一般来说，非感光性聚酰亚胺的软烘过程都是经过固定的时间和温度一次完成的，时间太短或温度太低，溶剂去除不充分，非感光性聚酰亚胺的粘附力就差，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片；(2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺；(3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘；(4)光刻胶的旋涂和烘烤；(5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚胺和光刻胶图形；(6)显影后烘烤；(7)用光刻胶剥离液剥离去除光刻胶；(8)非感光性聚酰亚胺的固化。

【技术特征摘要】
1.一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片； (2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺； (3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘； (4)光刻胶的旋涂和烘烤； (5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚胺和光刻胶图形； (6)显影后烘烤； (7)用光刻胶剥离液剥离去除光刻胶； (8)非感光性聚酰亚胺的固化。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的非感光性聚酰亚胺是指其对波长436纳米的G-line，波长365纳米的I_line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的非感光性聚酰亚胺的多步软烘，每一步的烘烤温度都不相同且都低于传统一步软烘的温度，其每一步的烘烤温度为50-150°C，烘烤时间为0.5-60分钟。4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的非感光性聚酰亚胺的多步软烘采用三步软烘，其中第一步的软烘条件为:烘烤温度为80°C，烘烤时间为7分钟，第二步的软烘条件为:烘烤温度为100°C，烘烤时间为5分钟，第三步的软烘条件为:烘烤温度为110°C，烘烤时间为3分钟。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，程晋广，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：