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本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法,包括如下步骤:1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片;2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺;3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘;4)光刻胶的旋涂和烘烤;5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法,包括如下步骤:1)提供一需要制作非感光性聚酰亚胺图形的基片;2)在所述基片上旋涂非感光性聚酰亚胺;3)非感光性聚酰亚胺的多步软烘;4)光刻胶的旋涂和烘烤;5)经曝光、显影获得所需的非感光性聚酰亚...