【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路,特别是涉及一种电压检测电路(VD)。
技术介绍
在电压检测电路中,为节省面积,低压报警电路和高压报警电路往往共用一个电阻串,如图1所示,为现有电压检测电路中的电阻检测电路即电阻串的结构示意图。图1中的电阻检测电路由电阻Rl、R2、R3、R4、R5和R6串接于检测电压电源VO和地之间。电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6对所述检测电压电源VO进行分压,各电阻连接处的分压可以分别取出,如图1中可以取出分压Vl和分压V2,将分压Vl和分压V2分别接入到后续的比较电路就能实现对所述检测电压电源VO的检测。在现有电路中,同一电路中会同时包含有两种工作电压的器件,分别为高压器件和低压器件。以卡类应用举例,通常使用低压1.8V器件,高压5V器件的工艺。在电压检测中需要检测高压6V电压,低压1.5V电压,检测时,电压检测电路在高于6V时和低于1.5V时都会报警,而在6V和1.5V之间不会报警。如图1所示,假设所述电阻Rl至R6都相同,则在当所述检测电压电源W为6V时,所述分压V2为IV,此时可以将所述分压V2接入到后续的比较器中来检测高压是否 ...
【技术保护点】
一种电压检测电路,包括一电阻检测电路,所述电阻检测电路由多个串联的电阻组成、并连接于检测电压电源和地之间,所述检测电压电源为第一电压电源或第二电压电源,第一电压要小于第二电压;所述电阻检测电路的串联电阻对所述检测电压电源进行分压并取出两个分压分别作为第一电压检测端和第二电压检测端;在其特征在于:所述第一电压检测端连接至一电压保护电路;所述电压保护电路包括:一工作电压大于所述第二电压的第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极和所述第一电压检测端相连,所述第一NMOS管的栅极和一第一电压电源相连;所述第一NMOS管的源极连接至第一比较器的一个输入端;所述第一比较器的另一输入端接 ...
【技术特征摘要】
1.一种电压检测电路,包括一电阻检测电路,所述电阻检测电路由多个串联的电阻组成、并连接于检测电压电源和地之间,所述检测电压电源为第一电压电源或第二电压电源,第一电压要小于第二电压;所述电阻检测电路的串联电阻对所述检测电压电源进行分压并取出两个分压分别作为第一电压检测端和第二电压检测端;在其特征在于:所述第一电压检测端连接至一电压保护电路;所述电压保护电路包括: 一工作电压大于所述第二电压的第一 NMOS管,所述第一 NMOS管的漏极和所述第一电压检测端相连,所述第一 NMOS管的栅极和一第一电压电源相连;所述第一 NMOS管的源极连接至第一比较器的一个输入端;所述第一比较器的另一输入端接参考电压,所述第一比较器的输出端输出第一电压报警信号,所述第一比较器的工作电源接所述第一电压电源; ...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐成伟,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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