带空气间隙结构的半导体功率器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种带空气间隙结构的半导体功率器件，该半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。本发明专利技术还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本发明专利技术通过在半导体功率器件宽深的电子漂移(扩散)区，制作空气间隙，减少了电子漂移区的通道面积，从而降低了器件在电力关断时的反向电流和关断时间，有效提高了半导体功率器件的工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种半导体功率器件及其制造方法。
技术介绍
半导体功率器件是电力电子领域的重要元器件，是实现强电和弱电之间接口的桥梁，在开关电源、变频、显示、节能降耗以及生态与环境保护等方面均有广阔的应用前景。通常，半导体功率器件是一种三端子器件，通过施加于控制端子上的控制信号，控制另两个端子处于电压阻断(器件截止)或电流导通(器件导通)状态。半导体功率器件在控制信号关断时的关断时间，影响到整个系统的效率和电力损耗。半导体功率器件的关断时间，可以通过减少器件电子漂移区的通道面积来减少。例如，名称为“Power semiconductor device”的美国专利申请(US7244969B2)披露了一种功率半导体器件，通过直接在功率器件电子漂移区的两侧(器件的外侧)作切除，改进半导体功率器件的结构，减少器件电子漂移区的通道面积，如图1所示。该技术方案虽能有效减少器件电子漂移区的通道面积，但由于其切除动作需要在整个半导体器件做完后才能进行，而切除动作属于机械动作，因此容易造成器件的硬损伤。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种带空气间隙结构的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带空气间隙结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。

【技术特征摘要】
1.一种带空气间隙结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述空气间隙呈轴对称排放。3.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述空气间隙下方与所述半导体功率器件的P型区的距离为0.5 5 μ m。4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述空气间隙的面积为所述半导体功率器件总面积的1/10 1/3。5.一种带空气间隙结构的半导体功率器件的制造方法，其特征在于，所述空气间隙结构的制作，包括以下步骤: 1)在硅片的电子漂移区上方涂布光刻胶； 2)曝光，打开光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟峰，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：