【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作
，尤其涉及一种功率半导体器件制作方法及装置。
技术介绍
功率半导体器件主要应用在大电压、大电流的场合，在使用中会产生大量的热量，过高的热量会使器件失效，为了尽量减少这些热量，需要减少器件的电阻，需要将硅片的厚度降低到350um以下，而硅片的厚度越低，机械强度越小，硅片就越容易发生翘曲，过大的翘曲对加工器件的机台提出了很大的挑战，因为硅片厚度太薄和硅片翘曲过大容易导致如下问题:(1)自动机台机械手传片发生故障。有些机台的传片是通过真空吸附的形式进行，如果硅片翘曲过大，真空将无法有效吸附这些硅片，导致机台报警，硅片无法进入机台加工。(2)机台加工薄硅片时容易产生碎片。当硅片的厚度低于350um时，在进行高速旋转的工艺时，硅片由于机械强度低会发生碎片，危及人身安全。现有技术中，为了解决硅片减薄后翘曲过大的问题，通常是采用一种硅片临时键合的技术，该方案是采用一种类似于硅片的载片，该载片提供支撑作用，首先在该载片上涂覆临时键合胶，然后在硅片和载片上施加一定大小的力，把硅片和载片“焊接”在一起，再进行后续的相关工艺，等到工艺全部完成时...
【技术保护点】
一种功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括：在所述功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对所述胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在所述第一硅片上的部分，使所述胶膜与所述第一硅片形状大小相同；对所述第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对所述第一硅片背面的所有工艺全部完成；从所述第一硅片上除去所述胶膜，获得第二硅片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：贺洪露，陈辉，罗海辉，谭灿健，宁旭斌，刘太忠，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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